工程碩士器件物理复习01.docVIP

器件物理基础 晶体结构、密勒指数 晶格向量、倒格子晶格向量、布里渊区、二维晶格点阵布里渊区画法 统计规律：费米分布和玻尔兹曼分布函数、简并半导体和非简并半导体 费米能级及其物理意义 准自由电子近似的能带结构、有效质量的概念、直接带隙半导体和间接带隙半导体 硅的能带结构特点 载流子统计：平衡和非平衡载流子统计、准费米能级的概念 状态密度的概念及其和能带结构的关系、态密度有效质量 本征半导体和杂质半导体热平衡载流子浓度 浅能级杂质、施主和受主杂质 杂质补偿效应 准电中性条件及其应用 载流子空间分布的统计及其存在的问题 载流子的复合、产生，俄歇复合的概念、净复合率的概念 碰撞电离 MOS电容复习概要 一、MOS电容 　１、MOS电容结构，PMOS电容，NMOS电容。 　　MOS 电容结构是在 p- 或 n-型硅衬底上生长一层数十埃至数百埃的氧化层，再在氧化层上淀积一层金属电极（叫做栅极）而构成。 　２、MOS电容是一个微分电容概念，反映的是由金属－氧化层－半导体衬底构成的MOS结构的半导体表面空间电荷区电荷随外加栅－衬底偏压变化的特性。 　３、理想的MOS电容特性（什么是理想的MOS电容特性） 　４、影响MOS结构电容特性（C－V）的因素： 　　（１）栅－衬底功函数差 　　（２）Si-SiO2界面态 　　（３）氧化层中可动电荷 　　（４）氧化层中固定电荷 　　（５）电离陷阱 　　（６