半导体器件物理与工艺第4章pn结素材.ppt

图4.23所示的是考虑与时间有关的少数载流子扩散问题而得到的更精确的关闭时间。 对于快速开关器件，必须降低少数载流子的寿命，因此，那些能级靠近禁带中央的复合-产生中心(如金掺杂入硅中)经常被引入。 图4.23 规一化的暂态时间对正向电流和反向电流比值的关系 当一足够大的反向电压加在p-n结时，结会击穿而导通一非常大的电流．这种击穿过程未必一定是破坏性的。两种重要的击穿机制为隧道效应击穿和雪崩倍增击穿，另一种是热电击穿．对大部分的二极管而言，雪崩击穿限制了反向偏压的上限，也限制了双极型晶体管的集电极电压和MOSFET的漏极电压。 4.7 结击穿 隧道击穿又叫齐纳击穿，当一反向强电场加在p-n结时，，势垒区较薄，反压足够高，使得能带倾斜，n区导带低于P区价带顶，使得价带中电子可以越过禁带隧穿到N区导带形成隧道电流，当电压增加使得隧穿几率达到一定值时，反向电流急剧增加，发生隧道击穿现象，如图所示．这种电子穿过禁带的过程称为隧穿． 隧穿发生条件：高掺杂、强电场、 窄耗尽区的情况． 对硅和砷化镓，电场为106V/cm或更高． p区和n区的掺杂浓度必须高于(＞5×1017cm-3)． 4.7.1 隧道效应击穿(tunneling effect，break)： 如图所示．在高反向偏压下，在耗尽区因热产生的电子(标示1)，由电场得到动能．若电场足够大，电子可以获得足够大的动能，和晶格