半导体物理第二章0517素材.pptVIP

半导体器件 §2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 (1)??? 替位式杂质 间隙式杂质 (2)??? 施主杂质和施主能级 (3) 受主杂质和受主能级 (4)??? 浅能级杂质电离能的简单计算(类氢模型) (5) 杂质的补偿作用 (6) 深能级杂质 第二章 半导体中的杂质和缺陷能级 与理想情况的偏离 晶格原子是振动的 材料含杂质 晶格中存在缺陷 点缺陷（空位、间隙原子） 线缺陷（位错） 面缺陷（层错） 与理想情况偏离的影响 极微量的杂质和缺陷，会对半导体材料的物理性质和化学性质产生决定性的影响，同时也严重影响半导体器件的质量。 1个B原子/ 个Si原子 在室温下电导率提高 倍 Si单晶位错密度要求低于 与理想情况偏离的原因 理论分析认为，杂质和缺陷的存在使得原本周期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏，并在禁带中引入了能级，允许电子在禁带中存在，从而使半导体的性质发生改变。 (1)??? 替位式杂质 间隙式杂质 来源: ?沾污(实际材料总是偏离理想情况的). ?有目的地掺入 在晶格中的 位置: ?间隙式(interstitial) – 杂质原子位于晶格原子之间的间隙位置。间隙式杂质原子一般比较小，如Si、