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* * * * * * * * * * * * 半导体物理学考试时间：1月30日下午14:00-16:00 考试题型 1、填空： 6分 2、名词解释：15分 3、简答：24分 4、画图：10分 5、推导：20分 6、计算：25分 第一章 半导体的能带理论 1. 基本概念 共价键、闪锌矿结构、纤锌矿结构、共有化运动、单电子近似、能带、价带、导带、禁带；导体、半导体、绝缘体的能带；本征激发、空穴、电子空穴对；有效质量；载流子及载流子浓度。 2. 基本理论 晶体中的电子共有化运动；有效质量的物理意义。 第二章 半导体中的杂质与缺陷能级 1. 基本概念 间隙式杂质、替位式杂质、杂质浓度；施主杂质、施主能级、施主电离能、n型半导体；受主杂质、受主能级、受主电离能、p型半导体；杂质补偿 2. 基本理论 实际半导体与理想半导体的主要区别；受主、施主能级在能带中的位置。 第三章 半导体中载流子的统计分布 1. 基本概念 热激发、复合、热平衡状态、热平衡载流子、状态密度、费米分布函数、费米能级、玻尔兹曼分布函数、多数载流子、少数载流子、非简并、简并。 2. 基本理论 载流子统计分布理论；杂质半导体的载流子浓度分布及随温度的变化理论；简并半导体的载流子浓度分布理论；简并化条件。 3. 推导与计算 半导