25库仑堵塞与单电子器件.pptVIP

6.单电子器件（ single-electron device SED） （1）问题的提出 是否存在有控制单个电子的可能性? 回答是肯定的。因为电压V与电容C之间的关系为V=Q/C , 在电荷Q=电子电荷q≈10-19C 时, 若 C=10-18F , 则 V ≈0.1V。这就是说, 若采用纳米电容即可通过电压来控制单个电子的运动 。 否则：V很大！ 因此，从前面分析可知：采用“单电子岛-双隧道结”结构，能够采用电压来控制单个电子的运动 ，实现单电子器件——器件的开关特性由增减单个电子或电子只能逐个通过。 （2）结构图 1-2 nm 10 nm 10 nm 工作原理示意图 等效电路 Cg 删极绝缘层电容 CJ 隧道结的电容 RT 隧道结的电阻 2001年日本的科学家松本和彦就率先在实验室里研制成功了单电子晶体管，该晶体管中使用的Si和TiO2材料的结构尺寸都达到了10nm左右的尺度。 （3）SET的Coulomb阻塞状态 ①SET的工作——改变电压（VD与VG）实现调控 - VD +VS +V - V -VG -VG 结1 结2 C0 (V1) (V2) (R1,C1) (R2,C2) 结1 结2 岛 VG 岛 S D G ID + - - + VD 若开始量子岛中N=0, 则随着电压︱VD︱上升, V2 逐渐增大（＞ q/2C,首先结2脱离阻塞而隧穿；