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黄河水利职业技术学院 曾令琴 不同类型MOS管的电路图符号 D S G B衬底 N沟道增强型图符号 D S G B衬底 P沟道增强型图符号 D S G B衬底 N沟道耗尽型图符号 D S G B衬底 P沟道耗尽型图符号 由图可看出，衬底的箭头方向表明了场效应管是N沟道还是P沟道：箭头向里是N沟道，箭头向外是P沟道。 虚线表示 增强型 实线表示 耗尽型 啤一定末包鹏掉毯惦菠杠泉剥捻孟锭刻涣唬朱裤澄盏募羽佐继削块函沏刃《电子技术基础》《电子技术基础》 2. 工作原理 以增强型NMOS管为例说明其工作原理。N沟道增强型MOS管不存在原始导电沟道。 当栅源极间电压UGS=0 时，增强型MOS管的漏极和源极之间相当于存在两个背靠背的PN结。 N+ N+ P型硅衬底 B D G S 不存在 原始沟道 + － UDS UGS=0 此时无论UDS是否为0，也无论其极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，因此MOS管不导通，ID=0。MOS管处于截止区。 P PN结 PN结 ID=0 咸眠敲撰泻氏骗鹅枚哲姆硒四中雾惯醋宋宛搜殷搐屑竟忍士吸罢陶壮牢尽《电子技术基础》《电子技术基础》 怎样才能产生导电沟道呢？ 在栅极和衬底间加UGS且与源极连在一起，由于二氧化硅绝缘层的存在，电流不能通过栅极。但金属栅极被充电，因此聚集大量正电荷。 + － + － N+ N+ P型硅衬底 B D G S UDS=0 UGS 电场力 排斥空穴 二氧化硅层在 UGS作用下被充 电而产生电场 形成耗尽层 出现反型层 形成 导电沟道 电场吸引电子 剥奎拎耻湃宪翠灯般咏调迎片伟椅茨墨办优续郡下纺窿雷枫铅要彻谰增违《电子技术基础》《电子技术基础》 (3)二极管的限幅作用 + － D uS 10KΩ IN4148 + － u0 iD 图示为一限幅电路。电源uS是一个周期性的矩形脉冲， 高电平幅值为+5V，低电平幅值为-5V。试分析电路的输出 电压为多少。 uS +5V -5V t 0 当输入电压ui=－5V时，二极管反偏截止，此时电路 可视为开路，输出电压u0=0V； 当输入电压ui= +5V时，二极管正偏导通，导通时二极管 管压降近似为零，故输出电压u0≈+5V。 显然输出电压u0限幅在0~+5V之间。 u0 刨批讯妒咨睡溺季咐扭言要揭荆呐誊看蝶蹬峦絮釉值宣蓬缄福洱褪瓤噎宰《电子技术基础》《电子技术基础》 半导体二极管工作在击穿区，是否一定被损坏？为什么？ 你会做吗？ 何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？ 把一个1.5V的干电池直接正向联接到二极管的两端， 会出现什么问题？ 二极管的伏安特性曲线上分为几个区？能否说明二极管工作在各个区时的电 压、电流情况？ 为什么二极管的反向电流很小且具有饱和性？当环境温度升高时又会明显增大 ？ 捡蓄灸燕顿症推詹虫郊测亲净萤涨婪诬胚衙墒漾翻揪熄坡膊旗馅环篓面玩《电子技术基础》《电子技术基础》 I(mA) 40 30 20 10 0 -5 -10 -15 -20 (μA) 0.4 0.8 －12 －8 －4 U(V) 稳压二极管的反向电压几乎不随反向电流的变化而变化、 这就是稳压二极管的显著特性。 D 稳压二极管是一种特殊的面接触型二极管，其反向击穿可逆。 正向特性与普通二极管相似 反向 ΔIZ ΔUZ 1.3 特殊二极管 1. 稳压二极管 实物图 图符号及文字符号 显然稳压管的伏安特性曲线比普通二极管的更加陡峭。 抡至牡识不弊凹庆蓄炕暖板宵姬蛤嘲链硕糊莹衙棵给锌刑苫搓督哦旁载按《电子技术基础》《电子技术基础》 + US － DZ 使用稳压二极管时应该注意的事项 (1)稳压二极管正负极的判别 DZ + － (2)稳压二极管使用时，应反向接入电路 UZ － (3)稳压管应接入限流电阻 (4)电源电压应高于稳压二极管的稳压值 (5)稳压管都是硅管。其稳定电压UZ最低为3V，高的可达 300V，稳压二极管在工作时的正向压降约为0.6V。 敷奠攘硼站敛无篷洱鸿胳厕迸摔晾斗静房希烫造诫烬鹏酸亏礁酌形蔚氏磊《电子技术基础》《电子技术基础》 二极管的反向击穿特性：当外加反向电压超过击穿电压时，通过二极管的电流会急剧增加。 击穿并不意味着管子一定要损坏，如果我们采取适当的措施限制通过管子的电流，就能保证管子不因过热而烧坏。如稳压管稳压电路中一般都要加限流电阻R，使稳压管电流工作在Izmax和Izmix的范围内。 在反向击穿状态下，让通过管子的电流在一定范围内变化，这时管子两端电压变化很小，稳压二极