纳米晶应变硬化精选.pptVIP

* * * 纳米晶金属的应变硬化机制 汇报人：虢婷 目前很多实验结果都证明NC中有低的应变硬化，有些材料中更是观察到了大的应变硬化现象，这与我们之前的理论认识是矛盾的。 那么，这种现象是怎么形成的呢？ 一. L-C lock 　　MD模拟表明NC位错也许会在晶界发射和消失而塞积，从而为小应变硬化提供了依据。 　　 NC中有位错塞积的证据： 1. 20nm的晶粒中已经观察到位错； 2.NC金属在拉伸应力作用下展现出早期颈缩。 是不是传统的拉伸试验使得NC金属难以 展现应变硬化？ 它会不会发展成更大的应变？ 如果存在，在大应变下的应变硬化是不是位错塞积导致的？ 在低温下以一种承压方式滚轧电沉积法获得~20nmNCNi。 图一 图3 图一 假定位错塞积是应变硬化的主要原因，那是什么引起位错塞积呢? 而Lee等人也通过原位TEM观察发现了纳米晶Ni中L-C位错锁的形成及其与孪生界面相互作用 图4 L-C位错的形成：两个领先不全位错的反应层错的参与 再假定L-C位错锁在NC Ni的应变硬化中起着关键作用。试验和MD也验证了这一假设。 孪生位错的互作用 不均匀的晶粒尺寸分布（电沉积法) 织构演变 （X射线大于0.1的滚轧应变）