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SVA-NEC技术部Array科 TFT-LCD工艺技术概要 Array工艺科：王晓凤 2004/12/3 主要内容 一、TFT的基本构造 二、4Mask与5Mask工艺对比 三、ARRAY基板的工艺流程 四、TN与SFT工艺对比 五、其他 一、 TFT的基本构造 一、 TFT的基本构造 二、4Mask与5Mask工艺对比 PR/曝光——使待刻蚀膜层上的光刻胶形成掩模图形的过程 二、4Mask与5Mask工艺对比 二、4Mask与5Mask工艺对比 二、4Mask与5Mask工艺对比 三、ARRAY基板的工艺流程 洗净 洗净方法及原理概述 成膜—Sputter Sputter在工艺流程中的位置 成膜—Sputter TFT中Sputter薄膜的种类和作用 Sputter设备 整体图（SMD-1200） 基板搬入（加热）/搬出（冷却）室（L1、L2） 搬送室(Tr) 成膜室（X1、X3） 成膜—PCVD 成膜基础 在多层膜成膜工艺中最重要的是薄膜间的界面处理，通常采用过渡层的思想来解决。比如，TFT中a Si和金属Cr的接触势垒较大，所以引入n+层降低接触电阻。同样G-Mo/Al采用两层金属结构，也是因为Mo和ITO的接触电阻很小。非晶硅采用低速/高速结构也是利用低速非晶硅的电子迁移率较高。在沉积非晶硅前通常对衬底用H2等离子体处理的目的也是在衬底上预沉积一层H原子，增