62电荷耦合器件的基本结构.pptVIP

6.2.1 CCD的电极结构： 6.2.2 转移信道的结构 1. SCCD(表面CCD） 转移和存储信号电荷的势阱都在硅与氧化硅的界面处，电荷速度与转移效率低，主要原因为客观表面态迁移率的影响。 即在硅与氧化硅表面有Na 、K杂质离子，表面态上的离子可以接收电子，也可以发射电子，当电子至后续电荷包转移时，表面态发射电子的速度慢，导致电子跟不上信号电荷的转移速度，造成信号电荷的损失，所以转移效率降低，转移速度不能提高。 2.BCCD（埋沟CCD） 基底为P型，在硅表面注入杂质，使之形成N型薄层，在N型两端做上N+层，起源极与漏极的作用。在N－P之间加反偏电压，使形成体内耗尽层，当与氧化层耗尽层相连通时，形成势阱。当电子向势阱中聚焦时，耗尽层宽度减小，同样可以存储和转移电荷，如果施以栅极电压，势能曲线下降，P区耗尽层加宽，势能曲线下降，势阱加深，可以通过控制栅极达到电荷耦合。 BCCD与SCCD的区别 （1）BCCD中传递信息是电子是N层中的多子，SCCD是P层中的少子 （2）SCCD中的信息电荷集中在界面处很薄的反型层中，而BCCD的信息电荷集中在体内。 （3）BCCD转移电荷损失比SCCD小1－2个数量级，具有更好的转移效率。 （4）BCCD转移速度高。 （5）BCCD最