第七章金属-半导体接触试卷资料.pptVIP

第七章 金属和半导体的接触 若WmWs 金属与n型半导体接触时 这说明： 从能带的角度进行解释基本概念： 表面能级：在半导体表面处的禁带中存在着表面态，对应的能级成为表面能级。 施主型表面态：能级被电子占据时呈电中性，施放电子后呈正电性。 受主型表面态：能级空着时为电中性，施放电子后呈负电性。 实际上： 由于表面态密度的不同，接触电势差部分降落在半导体表面以内，金属功函数会对表面势垒产生影响，但影响不大。 因此即使当WmWs时，也可能形成n型阻挡层。 以n型半导体为例： 阻挡层为高阻区域 —外加电压主要降落在阻挡层 平衡态时：表面势VS0 势垒高度qVD=-qVs 外加正电压：V0 则势垒高度降低为qVD，=-q(Vs+V) 外加一个负电压V0 ，势垒高度增加 （2）理论解释 ①扩散理论 对于n型阻挡层，当势垒的宽度远大于电子平均自由程，电子通过势垒区发生多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。-------------扩散理论适用于厚阻挡层。 势垒区存在电场，有电势变化，载流子浓度不均匀。 计算通过势垒的电流时， 必须同时考虑漂移和扩散运动。 势垒区的电势分布是比较复杂的,当势垒高度远大于k0T时，势垒区可近似为一个耗尽层。 ②热电子发射理论 当n型阻挡层很薄，电子平均自由程远大于势垒宽度时--------扩散理论不适用，电子在势垒区的