化合物半导体器件—第一章绪论方案.ppt

教师：戴显英 办公室：科技楼A708室 电话 Email:xydai@xidin.edu.cn 课程主要内容（大纲要求） 化合物半导体材料 半导体异质结 异质结双极晶体管 金属-半导体场效应晶体管 异质结场效应晶体管 量子器件与热电子器件 异质结光电子器件 宽带隙半导体材料与器件 预备知识 半导体物理 晶体管原理（双极） 晶体管原理（场效应） 固体物理 量子力学 教材/参考书 吕红亮，张玉明，张义门，《化合物半导体器件》 谢孟贤，《化合物半导体材料与器件》 刘恩科，朱秉升，罗晋生，《半导体物理学》 虞丽生，《半导体异质结物理》 谢永桂，《超高速化合物半导体器件》 李效白，《砷化镓微波功率场效应晶体管 及其应用》 方志烈，《半导体发光材料和器件》 第一章 绪论 Si尚不能很好应用的领域 化合物半导体材料与器件的优势 化合物半导体的发展历史 半导体器件未来的发展方向 第二代半导体--GaAs 第三代半导体--GaN 硅的重要性质 1、物理结构性质 晶体结构：金刚石结构晶体 晶格周期（?）：5.431 2、能带结构 禁带宽度（eV）：1.12 能带对称性：间接带隙 态密度(cm-3)：Nc=2.8*1019 Nv=1.1*1019 硅的重要性质 3、电学性质： 电子 空穴 低场迁移率cm2/V·s) : 1350 500 临界（击穿电场）V/cm： 3*105 4*105 饱和漂移速度：cm/s 107 107 有效质量（相对）： ml=0.98 mpl=0.16 mt=0.19 mph=0.53 硅的重要性质 4、光学性质 吸收限（λgap）： 1.1μm 辐射寿命（s）： 几个ms 典型辐射效率（%）： 1% Si尚不能很好应用的领域 1.光发射器件：任意波长 发光二极管（LED），激光二极管（LD)。 2.中、远红外探测器：λ≧1.1μm 光纤通讯： λ=1.3和1.5μm； 大气窗口：λ=3-5μm和λ=5-12μm； 热光电器件：感应500K的黑体。 3.紫外探测器： λ≤0.5μm 太阳盲区（日盲）型： λ≤280nm。 4.超高速器件：f≧40GHz,光通讯领域 5.高温器件：T2000C，航天、导弹等。 6.低温器件：T4.2K，航天等。 化合物半导体材料与器件的优势 ①μ：大多数μn比Si高，如GaAs的μn为8000； ②Eg：大多数在1.1eV以上（较Si宽），且范围宽； ③能带结构：多数是直接带隙（D型）； ④能带工程： Eg随化合物组分变化而改变； ⑤电阻率：１０７－１０９Ωｃｍ，很好的半绝缘； 　　　　　（Ｓｉ：２．３ｘ１０５ Ωｃｍ） ⑥异质结：比同质结的注入效率高；能带有突变； ⑦晶格结构：晶格常数可随组分改变。 化合物半导体材料与器件的优势 （以数字器件为例，与Si比较） ①高速器件：迁移率大； ②高温器件：多数的Eg大； ③低温高速器件：低温迁移率大； ④HEMT及HBT器件：异质结特性； ⑤发光器件：LED，半导体激光器（LD)； 　光探测器：红外、可见光、紫外； ⑥负阻器件： ⑦光电集成： 目前，低噪放、混频器、功放、开关和乘法器，均已完全采用化合物半导体器件 化合物半导体的发展历史 化合物半导体器件未来的发展方向 第二代半导体--砷化镓 GaAs非常适合高频无线通讯 GaAs是功率放大器的主流技术 手机是促进GaAsIC市场增长的主要动力 国内外GaAs技术现状对比 GaAs还有更多的应用领域 第三代半导体材料—氮化镓 氮化镓与其它半导体材料的比较 GaN应用领域 第三代半导体材料—锗硅 SiGe HBT技术 SiGe HBT的研究与开发在国外已经成熟，并已推出了多种产品，主要应用于RF电路与高速电路。 1996年，美国巴尔的摩公司制造出S波段230W SiGe HBT脉冲功率晶体管，工作频率为2.8GHz。 2002年，IBM公司报道了特征频率高达350GHZ的SiGe HBT，器件具备优良的射频特性。 2004年，Germany IHP公司制造出 fT=300GHz，fmax＝250 GHz，门延迟时间小于3.3ps的SiGe HBT； 2004年，Germany Infineon公司制造出fT=225GHz，fmax＝300 GHz，门延迟时间小于3.2ps的SiGe HBT； 2004年，IBM公司制造出fT=300GHz，fmax＝35