电子技术及其应基础 模拟部分 李哲英02anal1_2.pptVIP

电子工程系 1-2 基本半导体器件 1-2-1 二极管 diode 一、二极管的基本结构architecture 二、二极管的表示符号symbol 三、二极管的工作原理work principle 二极管工作原理示例Example 四、二极管的基本技术特性 五、二极管的分类classification 五、Diode classification 五、Diode classification 六、实例example 1-2-2 三极管 Bipolar Transistor 一、三极管的基本结构 二、Symbol 三、三极管的工作原理 三极管电流放大作用示例1 三极管电流放大作用示例2 四、三极管的基本技术特性 四、三极管的基本技术特性 四、三极管的基本技术特性 三极管电流放大倍数示例 四、三极管的基本技术特性 四、三极管的基本技术特性 四、三极管的基本技术特性 三极管饱和与截止特性示例 四、三极管的基本技术特性 三极管频率特性示例 四、三极管的基本技术特性 四、三极管的基本技术特性 五、三极管分类 1-2-3 场效应管 Field effect transistor 一、场效应管的优缺点 二、场效应管的基本结构 三、场效应管的表示符号 四、场效应管的工作原理 四、场效应管的工作原理 五、场效应管的基本技术特性 五、场效应管的基本技术特性 五、场效应管的基本技术特性 五、场效应管的基本技术特性 五、场效应管的基本技术特性 五、场效应管的基本技术特性 五、场效应管的基本技术特性 五、场效应管的基本技术特性 六、场效应管的分类 1-2-4、晶闸管（可控硅） Thyristor 一、晶闸管的基本结构 二、晶闸管的表示符号 三、晶闸管的工作原理 四、晶闸管的V-I特性 五、晶闸管的基本参数 六、晶闸管的分类与应用 ?通用三极管 ?达林顿管darington ?RF三极管 ?多管阵列 用于一般场合。例：3DG系列，2N系列 。 功率管，也叫复合管，具有高电流放大系数，用于功率放大和驱动电路，例如2N6427等。 用于VHF/UHF小信号放大，频率可达400MHz到2GHz，例：BF224,MPS6595。 多个独立的三极管封装在一起，类似集成电路。 二、场效应管的基本结构 三、场效应管的表示符号 四、场效应管的工作原理 五、场效应管的基本技术特性 六、场效应管分类 改变电场来控制半导体材料的导电特性。 一、场效应管的优缺点 场效应管：通过改变电场来控制半导体材料的导电特性。 三 极 管：通过电流来控制PN结的电流。 ?没有耗尽区的少数载流子存储效应，适于高频。 ?具有负温度系数，可避免热击穿。 ?由于没有PN结，可以使用其它半导体材料。 ?由于电场控制，所以输入阻抗高。 ?线性度好。 ?制作工艺简单。 1-2-3 场效应管 绝缘栅型MOSFET 结型JFET s N g d g P+ P+ 衬底 漏极 栅极 源极 B P衬底 N+ N+ s g d 1-2-3 场效应管 N沟道 N沟道 Metal-oxide field transistor Junction field transistor Source Drain Gate N channel Substrate 绝缘栅型MOSFET 结型JFET s g d B N型沟道 P型沟道 1-2-3 场效应管 d g s d g s s P g d g N+ N+ s g d B B P衬底 N+ N+ s g d ——绝缘栅型MOSFET N+ P d g s 铝 二氧化硅 反衬层 耗尽层 V gs Is Is Vds 1-2-3 场效应管 N+ 1-2-3 场效应管 N P P d g s Vds Is ? Vds=0，Is=0 ? Vds ?， Is ? ? VdsVP, Is基本不变 A ?VDD过大，击穿 VP：夹断电压 Is Vds VP ____结型JFET ?低频跨导Transconductance ?转移特性 Input-output transfer ?输出特性 Output characteristics ?截止与导通特性 Cutoff and conductance ?频率特性 frequency characteristics ?温度特性 temperature characteristics ?噪声特性 Noise characteristics 1-2-3 场效应管 当Vds为常数时，低频跨导反应了栅源电压对漏极电流的控制能力，与工作点有关。 gm =diD/dvGS 这相当于三极管的电流放大倍数，但它反映的是栅极电压与漏极电流之间的关系。 s g d B 1-2-3 场效应管 1、低频跨