第七章_场致发射显示FED精选.pptVIP

第七章 场致发射显示FED 一、概述 致发射显示（Field Emission Display, FED）是真空微场电子在显示领域的应用 兼有真空电子器件和固体器件的优点： （1）采用薄膜工艺制成场致发射阵列，可在室温下工作 （2）可利用硅集成工艺制造场致发射阵列，其电流密度是氧化物热阴极发射电流密度的100~1000倍 （3）抗辐射能力强，可以工作与极低温的宇宙空间 （4）场致发射阵列可工作与500℃以下的高温 （5）工作频率可高达1000GHz，且可工作与低真空 总之，FED非常适合于军用 FED基本结构和原理 FED中使用的场致发射阵列从工作原理上可分为：金属场致发射、半导体场致发射、热助内场致发射 1．金属表面的场致发射方程 金属表面的场致发射方程在以下假说条件下得出： A、金属内自由电子的能量分布服从费米分布 B、金属板表面是理想平面，忽略其原子尺寸的不规则性 C、表面势垒由电镜像力产生 D、金属表面逸出功分布均匀 T=0K时金属场致发射定量方程为： 对F-N公式作如下代换 2、温度对场致发射的影响 对数处理，可得： 可见当温度从室温增加到1000K，场致发射电流只增加了30% 当外加电场越大，温度的影响越小 发射电流与功函数、电场强度密切相关，所以要获得大的场致发射电流，可以采取降低发射材料逸出功和增加发射体表面电场的方法。 低逸出功材料化学性质活泼，不耐微尖在发射电流时引起的高温，所以实际实用的发射材料都是耐熔材料，如W、Mo、Ta、Zr、Nb等。 要获得有实用意义的场致发射电流，对于Mo这类材料，表面电场应达到107V/cm 只有借助尖端效应才能获得如此高的表面电场 制成具有一定发射面积和具有可实用发射电流密度的场致发射阴极必须解决两个工艺问题： （1）需要一个均匀分布，且密度足够高的微尖阵列 （2）要有近距低压引出场致发射电流的电极 微尖型场致发射阵列有两种：Mo微尖和硅Si微尖 制作流程如下： （1）在玻璃板上先后蒸上100nmMo层和200um非晶硅电阻层，并光刻形成电极 （2）沉积1umSiO2绝缘层和100umMo栅极，并光刻成列电极 （3）涂光刻胶，并形成栅孔，干刻除去栅孔上的Mo层 （4）进一步干刻除去栅孔下的SiO2层，直到电阻层为止，除去表面光刻胶 （5）在垂直方向用电子束蒸发钼，同时在与水平表面成15度的方向上蒸铝 （6）蒸发的钼附着在栅孔边缘，使栅孔不断缩小，使透过栅孔的Mo蒸气形成的钼柱逐渐变细，直至栅孔被封死，钼微尖电极在底电极上形成 （7）将铝牺牲层连同其上的Mo层用NaOH溶液除去，形成一个能行、列选址的Mo微尖阵列 FED技术难点 支撑技术 电子束发射技术（发射体表面几何形状，束流密度一致性，束流轨道等） 真空密封技术 电子流收集体：三基色荧光粉 支撑间隔材料 FED工作于真空条件下，显示屏又是平面型，为了抵抗大气压力，FED上下基板之间必须采用支撑结构 FED支撑结构要求： （1）支撑单元的支撑面积必须足够小，在显示图像时不影响图像质量 （2）支撑单元的体电阻和表面电阻必须很大，使得阳极与阴极之间由于支撑单元造成的漏电流可以忽略不计 （3）为了防止电荷积累，支撑单元要具有合适的电阻率，把电荷导走 （4）具有足够大的支撑强度 真空度的维持 对于EFD微尖，无论是剩余气体电离后形成正离子轰击，微尖还是从器壁或荧光粉析出的气体吸附在微尖上都绘影响微尖的场致发射效果。 根据真空电子器件制造工艺，要使得器件能长期保持密封，必须做到以下几点： （1）排气过程中器件内部各部件去气彻底 （2）封离前器件内真空度高 （3）用消气剂以维持封离后期间内高真空 FED体积与表面积之比很大，意味着器件表面积只要有一点出气，真空度就会变得很差。 FED器件封接的漏气率小于1×10-11Torr/s，排气台应该能抽到1×10-8Torr数量级真空度，这样将高牢固度室温消气剂安装在10mm内径的排气管内，基本上可以保证器件存放寿命在2000天以上 FED中，由于结构限制，只能使用锆、钛类型非蒸散型消气剂。 FED中的荧光粉 在CRT中，荧光粉工作与高电压，小电流条件下 FED中，荧光粉工，作与小电压（几百至几千伏），大电流情况下，工作时发光效率不高，即便高压情况下使用，发光效率也只有CRT的1/10 FED工作电压小于500V时，只能使用低压荧光粉 * 各类电视机功耗的比较 结构： 由阳极基板和阴极基板构成，阳极基板为红绿蓝三色荧光粉粉条 为了保证色纯度，之间用黑矩阵隔开， 阴极基板由可以行列寻址的发射阵列和栅极组成。 两基板之间有支撑以抵抗大气压力，基板之间用低熔点玻璃封接 原理：在栅极和阴极之间有一个电压差形成电场，使得微尖释出电子，再经过阳极和阴极之间的高压电场加速电子使之轰击荧光粉而发光。 FED