第一章常用半导体器件..docVIP

第一章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1 本征半导体 半导体 概念：导电能力介于导体和绝缘体之间。 本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体。 本征半导体的晶体结构（图1.1.1） 晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵。 共价键 本征半导体中的两种载流子（图1.1.2） 本征激发：在热激发下产生自由电子和空穴对的现象。 空穴：讲解其导电方式； 自由电子 复合：自由电子与空穴相遇，相互消失。 载流子：运载电荷的粒子。 本征半导体中载流子的浓度 动态平衡：载流子浓度在一定温度下，保持一定。 载流子浓度公式： 自由电子、空穴浓度（cm－3），T为热力学温度，k为波耳兹曼常数（），EGO为热力学零度时破坏共价键所需的能量（eV），又称禁带宽度，K1是与半导体材料载流子有效质量、有效能级密度有关的常量。 1.1.2 杂质半导体 概念：通过扩散工艺，掺入了少量合适的杂质元素的半导体。 N型半导体（图1.1.3） 形成：掺入少量的磷。 多数载流子：自由电子 少数载流子：空穴 施主原子：提供电子的杂质原子。 P型半导体（图1.1.4） 形成：掺入少量的硼。 多数载流子：空穴 少数载流子：自由电子 受主原子：杂质原子中的空穴吸收电子。 浓度：多子浓度近似等于所掺杂原子的浓度，而少子的浓度低，由本征激发形成，对温度敏感，影响半导体的性能。 1.1.3 PN结 PN结的形成（图1.1