第3章第1节详解.ppt

第3章 光生伏特器件 ?本章以半导体结型光电器件中的p-n结为主，介绍几种典型p-n结型半导体结型光电器件，其中包含硅光电二极管、PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管、光电三极管和硅光电池的结构、工作原理以及它们的一些特性。在此基础上介绍一些特殊用途的结型光电器件，如位置敏感探测器件PSD、象限探测器件等 第3章 光生伏特器件 重点：1、 p-n结在光照下的电流方程；2、 硅光伏电池的光照特性；3、 硅光电二极管、PIN光电二极管和APD雪崩光 电二极管的工作原理和光电特性； 4、PIN光电二极管中I层的作用；5、硅光电三极管和普通三极管以及硅光电二极管和普通二极管的特性比较；6、象限探测器件和位置敏感探测器件PSD的基本 工作原理和实际应用；7、光伏器件的偏置电路。 第3章 光生伏特器件 光伏器件与光电导器件的主要区别： 1、产生光电变换的部位不同：光电导器件是均值型，光伏器件是结型； 2、光电导器件无极性，须加偏压；光伏器件有极性，不须外加偏压（光电池）也可光信号变为电信号； 3、光电导器件驰豫时间较长，响应速度慢，频率响应性能较差；光伏器件驰豫时间较短，响应速度快，频率响应特性较好。 3.1 硅光电二极管 （工作在反偏置状态即光电导工作模式） 2、光电二极管的电流方程 3.1.2 光电二极管的基本特性 3. 光谱响应 4. 时间响应 4. 噪声 3.2 其他类型的光生伏特器件 3.2.1 PIN型光电二极管 2.工作原理 3.噪声 APD的性能与入射光功率有关。通常当入射光功率在1nW到几个μW时，倍增电流与入射光具有较好的线性。当入射光功率过大时，倍增系数反而会降低，从而引起光电流的畸形。因此，在实际探测中，当入射光功率较小时，多采用APD，此时雪崩增益引起的噪声贡献不大。相反，在入射光功率较大时，雪崩增益引起的噪声贡献占主要优势，并有可能带来光电流失真，此时采用PIN管更恰当。 3.2.4 光电三极管（光电晶体管，一般作光开关控制） 光电三极管与一般晶体管很相似，具有两个PN结，只是它的集电结一边做得很大，以扩大光的照射面积。 大多数光电三极管的基极无引出线，当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时，集电结就是反向偏压， 当光照射在集电结时，就会在结附近产生电子—空穴对，光生电子被拉到集电极，基区留下空穴，使基极与发射极间的电压升高，这样便会有大量的电子流向集电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的β倍，所以光电三极管有放大作用。 1. 工作原理 2. 光电三极管特性 2）时间响应（频率特性） 3）温度特性 4）光谱响应 3.2.3 硅光电池 3.2.3 硅光电池 1. 硅光电池的基本结构和工作原理 3. 硅光电池的输出功率 4.光电池的光电转换效率 光电二极管与光电池比较 表明光电三极管的等效电路是在光电二极管的等效电路基础上增加了电流源Ic和基射结电阻Rce、电容Cce、输出负载电阻RL。 选择适当的负载电阻，使其满足RL＜Rce，这时可以导出光电三极管电路的输出电压为 （3-26） 光电三极管的时间响应由以下四部分组成： ① 光生载流子对发射结电容Cbe和集电结电容Cbc的充放电时间；② 光生载流子渡越基区所需要的时间； ③ 光生载流子被收集到集电极的时间； ④ 输出电路的等效负载电阻RL与等效电容Cce所构成的RC时间； 硅光电二极管和硅光电三极管的暗电流Id和光电流IL均随温度而变化，由于硅光电三极管具有电流放大功能，所以硅光电三极管的暗电流Id和亮电流IL受温度的影响要比硅光电二极管大得多。 硅光电二极管与硅光电三极管具有相同的光谱响应。图3-18所示为典型的硅光电三极管3DU3的光谱响应特性曲线，它的响应范围为0.4~1.0μm，峰值波长为0.85μm。对于光电二极管，减薄PN结的厚度可以使短波段波长的光谱响应得到提高，因为PN结的厚度减薄后，长波段的辐射光谱很容易穿透PN结，而没有被吸收。 短波段的光谱容易被减薄的PN结吸收。因此，可以制造出具有不同光谱响应的光伏器件，例如蓝敏器件和色敏器件等。蓝敏器件是在牺牲长波段光谱响应为代价获得的（减薄PN结厚度，减少了长波段光子的吸收）。 光电池是一种不需加偏置电压就能把光能直接转换成电能的PN结光电器件，按光电池的功用可将其分为两大类：即太阳能光电池和测量光电池。 太阳能光电池主要用作电源，对它的要求主要是光电转换效率高、成本低。由于它具有结构简单、体积小、重量轻、高可靠性、寿命长、可在空间直接将太阳能转换成电能的特点，因此成为航天工业中的重要电源，而且还被广泛地应用于供电困难的场所和一些日用便携电器中。