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Ch4 半导体光电探测器 Ch4 半导体光电探测器 §4-1 光电探测器性能参数 §4-2 光敏电阻光电导 §4-3 光电池太阳电池 §4-4 结型光电探测器 §4-5 CCD摄像器件 基本结构；基本原理；基本电学特性。 光电效应 光子效应与光热效应 光热效应是物体吸收光，引起温度升高的一种效应。光热效应中典型的有温差电效应和热释电效应。 入射光的光子与物质中的电子相互作用并产生载流子的效应，也就是单个光子的性质对产生的电子直接作用的一类光电效应。 光子效应与光热效应 光热效应的反应慢，光子效应的反应快。光热效应对光子频率没有选择性，光子效应的光子的频率必须大于极限频率。 §4-1 光电探测器性能参数 一、基本性能参数1.量子效率-ηIp- 光电流P-光强hv-光子能量# 1） P：入射探测器表面光强-外量子效率2） P：探测器吸收光强-内量子效率 2.响应度-R3.灵敏度-S4.光谱响应率-单色5.等效噪声功率-NEPIp输出信号电流6.归一化探测率-D*探测率：归一化探测率：二、探测器噪声 1.噪声表述 特点：随机，不可预测；统计平均值为0。 表征：均方值（方均值）表述。总噪声：噪声特性：与频率相关；or 与频率无关-白噪声。 2.噪声源1）热噪声--载流子无规则热运动（白噪声）2）散粒噪声--载流子渡越势垒区随机起伏（白噪声）3）产生--复合噪声：载流子复合随机起伏4）1/f噪声--低频（ 1kHz）5）光子噪声—光子随机起伏 §4-2 光敏电阻光电导探测器 一、器件物理：半导体材料吸收光子能量—产生电子－空穴对；杂质电离产生电子或空穴。光生载流子使材料电导增大—光电导；光生载流子定向移动形成电信号—光电流。 #光电导---本征光电导；杂质光电导杂质密度比原子密度低光电导可略。 二. 光电导-附加电导率无光照时电导率—暗电导率：光生非平衡载流子电导率附加电导率：总电导率： 三. 光电流-附加电流 设材料光照面为单位面积， 厚度L；偏置电压V。 光照平衡状态，产生率复合率：四. 光电流灵敏度 X截面光强： 光子数及光生载流子产生率：# 光电导增益：一个光生载流子对外电路贡献的载流子数。光生载流子存在寿命；光生载流子在材料二端电场作用下定向运动；一端流出，另一端补存，直至载流子复合；寿命期间向外电路提供的载流子数，即增益。五. 光电导弛豫 光照时光电导逐渐上升，光照停止后光电导逐渐下降的现象。# 载流子寿命 —小注入时常数；---大注入时非常数。 1.单分子复合情况—小注入2.双分子复合情况—大注入 3.噪声特性 噪声源：产生-复合噪声；热噪声；低频1/f噪声. 工作物理机制； 暗电导； 光电导； 量子效率；光电导（光电流）增益？ 噪声源？ 1.基予物理概念给出用载流子寿命表述的光电导（光电流）增 益，并解释其机理？ 2.将处于光照射状态的光电导体形成闭合回路，外电路中是否 会有电流？ §4-3 光电池太阳电池 四、I-V方程开路平衡时电流关系 八、常规pn结太阳电池不足 太阳电池关键参数—效率 1.半导体复合:光生载流子在表面区复合；扩散至扩散长度外复合。 2.串联电阻大: 低的表面区掺杂接触电阻高。 3.表面反射: 表面反射降低光吸收。 4.抗高能粒子能力差: 高能粒子在半导体表面产生缺陷，降低载流子寿命。 九、其它结构太阳电池 1.异质结结构光子窄带区吸收； 宽带表面高掺杂； 抗辐射能力强。 2.背面高掺杂结构控制扩散长度外载流子复合。 3.绒面结构 减小反射。- - - - - - 十、其它材料太阳电池 多晶体； 非晶体； 有机薄膜； - - - - - -。 量子阱在太阳能电池中作用 十二、多节太阳能电池 我国的三结GaInP/GaAs/Ge太阳能电池的实验室转换效率最高达到29.9%，非常接近国际最好水平 。 十二、多节太阳能电池 电流匹配方案 将量子阱结构引入到三结太阳能电池的中间子电池中提高其光生电流以改善电流匹配 十二、多节太阳能电池 十二、多节太阳能电池发展设想 1、4节及四节以上量子阱太阳能电池 2、低能量的光子能量累加 3、高能量的光子分解 4、晶格失配材料 5、其他新型材料 原理；理想状态等效电路；伏安特性方程； 开路电压；短路电流；光谱响应特性；寄生参数影响。 pn结正向压降产生机理（开路与负载状态）？ 对光生载流子有贡献区域？区域吸收与光子能量关系？ 太阳电池的输出电流密度是否与负载有关？ 太阳电池与pn结光电探测器无增益输出电流密度是否相等？ §4-4 结型光电探测器 定义：由pn结等构成的将光信号转换成电信号对光探测的器件。 类型：光电