第一章衬底制备试卷资料.pptVIP

1.3.4 Si晶片加工 3）抛光 目的：进一步消除表面缺陷，获得高度平整、光洁及无损层的“理想”表面。 方法：机械抛光、化学抛光、化学机械抛光（CMP,chemical-mechanical polishing） ①?机械抛光:与磨片工艺原理相同，磨料更细（0.1-0.5μm），MgO、SiO2、ZrO； 优点：表面平整；缺点：损伤层深、速度慢。 1.3.4 Si晶片加工 ②化学抛光（化学腐蚀） a.酸性腐蚀 典型配方：HF:HNO3:CH3COOH=1:3:2(体积比) 3Si+4HNO3+18HF=3H3SiF6+4NO↑+8H2O 注意腐蚀温度：T=30-50℃,表面平滑； T25℃, 表面不平滑。 b.碱性腐蚀：KOH、NaOH 特点：1）适于大直径（75mm）; 2）不需搅拌； 3）表面无损伤。 缺点：平整度差 1.3.3 晶片加工 ③化学机械抛光（CMP，Chemical Mechanical Polishing:) 现代工艺采用 特点：兼有机械与化学抛光两者的优点。 典型抛光液：SiO2+ NaOH Si+ 2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑ 三氯氢硅的沸点为31.5℃ ，与绝大多数杂质的氯化物挥发温度相差较大，所以可用精馏法提纯。三氯氢硅极易挥发和水解，产生强腐蚀的盐酸气，因此精馏设备必须防止水汽和空气混入。 Most ingots produced today are 150mm (6) and 200mm (8) diameter, but Komatsu Silicon America, MEMC, Mitsubishi Silicon America, Shin-Etsu Handotai America, and Wacker Siltronics are developing 300mm (12) and 400mm (16) diameter ingots. 集成电路制造技术 第一章 Si单晶及Si片的制备 2015年9月11日 主要内容 多晶硅的制备 直拉法制备Si单晶 Si片的制备 1.1.1 半导体材料的类型 1）元素半导体 2）化合物半导体 3）合金（固溶体） 元素半导体 C（金刚石）,Si, Ge, Sn 晶格结构：金刚石 能带结构：间接带隙 Sn: 0.08 eV Ge: 0.67 eV Si: 1.12 eV C: 5.50 eV 1.1 多晶Si的制备 化合物半导体 Ⅲ-Ⅴ族：由ⅢA的B、Al、Ga、In与ⅤA的N、P、As、Sb形成， 如GaAs、InP、GaN、BN、AlN、GaP、InSb等15种。 Ⅱ-Ⅵ族：由ⅡB的Zn、Cd、Hg与ⅥA族的O、S、Se、Te形成， 如ZnO、ZnS、CdS、CdTe、HgS、HgSe、HgTe等 Ⅳ-Ⅳ族：SiC 1.1.1 半导体材料的类型 合金半导体 二元合金半导体：Si1-xGex、 Si1-xCx、Ge1-xSnx 三元合金半导体：AlxGa1-xAs、AlxGa1-xN、 InxGa1-xAs、In1-xAlxAs等 四元合金半导体：InYGa1-YAsXP1-X and AlYGa1-YAsXSb1-X 不是化合物； 由二元化合物和一种或两种普通元素组成三元或四元合金（固溶体）半导体。 特点：1）组分可调； 2）禁带宽度随组分连续可调； 3）晶格常数随组分连续可调。 1.1.1 半导体材料的类型 Si半导体的重要性 ①占地壳重量20%-25%； ②单晶直径最大：每3年增加1英吋，目前主流12英寸（300mm），最新18英吋（450mm）； ③SiO2:掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝缘介质（多 层布线）、绝缘栅、MOS电容的介质材料； ④多晶硅（ Poly-Si）：栅电极、杂质扩散源、互 连线（比铝布线灵活）； 1.1.2 Si单晶的起始材料--石英岩（高纯度硅砂--SiO2） ①SiO2+SiC+C→Si(s)+SiO(g)+CO(g), 冶金级硅：98%； ② Si(s)+3HCl(g) →SiHCl3(g)+H2，三氯硅烷室温下呈液态（沸点为32℃），利用分馏法去除杂质； ③ SiHCl3(g)+ H2→Si(s)+ 3HCl(g)，电子级硅（片状多晶硅） 从石英砂到硅锭 多晶硅提纯 I 过 滤 器 冷凝器 纯化器 反应室，300℃ HCl Si 硅粉 SiHCl3 (三氯氢硅 ，TGS) 纯度:99.9999999%(9N