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单级晶体管放大电路故障诊断分析方法姓名： 李兰英班级： 12级应用电子学号： 121050120指导老师: 徐红霞摘要： 单极晶体管放大电路故障诊断方法。如1图所示，该电路由电阻，电容，晶体管等8个电子元器件构成。电子故障可以分为高阻或断路故障；电容故障可以分为断路和短路故障；晶体管故障可以分为晶体管各引脚之间的短路故障或是断路故障。由此可见看出至少有12种可能性，对应有12种不同的故障状态表现形式。 关键词：放大电路、故障。目 录 摘要 ………………………………………………………………………………………1 一、单极晶体管放大电路…………………………………………………………………3 二、电阻故障………………………………………………………………………………4 三、电容器故障……………………………………………………………………………6四、晶体管故障……………………………………………………………………………7 参考文献……………………………………………………………………………………10一、单极晶体管放大电路如图1所示典型的单极晶体管放大电路中，流过晶体管的平均电流随着输入信号的变化增加或者减少，集电极负载电阻R3两端电压的变化反映了集电极电流的变化。为了保证晶体管放大电路的交流输出不失真，集电极直流工作电压（即集电极和地之间的直流电压）应当和交流输出信的最大幅值相等大致为直流供电电压VCC的1/2。电阻元件R1，R2，R4构成偏置电路，并且保证静态工作点电压稳定。在单极晶体管放大电路中，多种因素都会引起静态工作点电压的变化，为了保证电路正常工作，静态工作点电压的稳定是非常重要的。 硅三极管构成的单级晶体管放大电路中，影响电路稳定性的最主要的原因是晶体管电流放大倍数hFE的变化。即使是同时一型号的晶体管，电流放大倍数hFE的数值可能会在50至500之间。如果不认真考虑电路的稳定措施，当更换晶体管时，就会引起工作点的显著变化，在偏置电路中，只要保证基极电压，VB不随基极电流变化，就可以保证直流工作点稳定。为了实现这一目的，R1和R2的选用是要保证流过其上的电流工作点电压。当忽略基极电流时，基极的直流工作电压由下决定：Vb=（Vcc（R1+R2））XR2另一方面，发射极电压VE由下式决定：VE=VB-VBE其中，VBE是基极和发射极之间的正向偏压，硅晶体管的典型值是0.7V左右。此时的发射极电流为：IE=VE/R4。基极电流和集电极电流相比可以忽略，即IE=IC。集电极直流电压VC由下式决定：VC=VCC-ICR3.在这里由于VB被偏置分压电路固定保持不变，因此，集电极直流电压VC保持不变。该电路中串联负反馈的效果。当集电极电流增加时，集电极电压下降，发射极电流上升，发射极电压上升。但是，基极电压VB是由分压器确定，发射极电压VE增大使得晶体管的基极和发射极之间是电压降低，进而使得集电极电流降低。这样，晶体管集电极电压稳定在静态工作点。为了保障晶体管放大电路的静态工作点不受其他直流电路电压的影响，同时还要传递交流输入/输出信号，在电路中，必须要接入交流耦合电容C1和C2，在低频放大电路中，为了实现隔直流通交流的目的，C1和C2的电容值要选的大一些（例如10uf）交流旁路电容C3的作用是提供交流放大信号通路，避免因发射极电阻R4降低电路的交流放大倍数。由于基极和发射极之间发射极阻抗很低，电容器C3的电容值必须要选大一些（例如100uf）。图一所示的电路，当电路的电流放大系数很大，并且基极电流可以忽略不计时，电路的直流偏置电压可以用如下公式计算：VB=（VCC/R1+R2）)R2=(12)/47千欧+12千欧)12欧=2.4vVE=VB-VBE=2.4-0.7=1.7vVC=VCC-ICR3其中，IC=IE=VE/R4VC=12-（3.05MA*2.2千欧）=12-6.7=5.3v。上述电路中各点电压计算结果如下表所示。在实际电路中，由于采用20千欧/V的仪表测量电压，此时的测量值稍稍有所不同，实际测量数值如下表所示。这是由于偏置电路中的分压电阻误差为百分之十的缘故。从以上两表中可以看到，计算值和测量值基本一致。在判断电路故障之前，应该试算一下电路中各点理论电压值的大小，这样有助于发现和判断电路中的故障点。下面我们分别讨论一下如图1所示单极晶体管放大电路中，各种电路故障现象和故障诊断、分析方法。二、电阻故障1.RI断路故障当R1断路时，流过R2和晶体管基极电路的电流为0，晶体管处于关断状态，发射极和基极电压均为0.同时，由于集电极电流为0，集电极负载电阻R3上的压降为0.集电极电压等于VCC。此时，电路中各点电压如图2所示。电路输出为零。2、R2断路故障当R2断路时，原来流过R2的电流也将流入晶体管的基极。但是，由于晶体管