dig第13讲S(阅读).pptVIP

盛建伦 jlsheng@qtech.edu.cn 半导体存储器和可编程逻辑器件 半导体存储器的一般结构形式 7.2.1 掩模ROM 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 掩模ROM的特点： 7.2.2 可编程只读存储器 （ PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 7.5 用存储器设计组合逻辑电路 1、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量， 则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 用存储器实现组合逻辑函数 7.2.3 可擦除的可编程只读存储器 （EPROM） 1、用紫外线擦除的EPROM UVEPROM 2、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） E2PROM (Electronic Erasable PROM) 7.2.4 快闪存储器（Flash Memory） 快闪存储器（Flash Memory） 组合逻辑电路 * * 数 字 逻 辑 Digital Logic 青岛理工大学 广义双语教学课程 课程网站： 211.64.192.58 第7章 Memory and Programmable logic device Flash memory is a non-volatile computer storage technology that can be ele