4.2SE像衬度.pptVIP

* 4.2 SEM像衬度 SEM像衬度的形成主要基于样品微区诸如表面形貌、原子序数、晶体结构、表面电场和磁场等方面存在着差异。入射电子与之相互作用，产生各种特征信号，其强度就存在着差异，最后反映到显像管荧光屏上的图像就有一定的衬度。 措莎鳃读枯诫疚缘箱矮揩伎潞谁许撮皇鲤逝豌撒爪匠慢劝控银羹眉肆氦抛4.2SEM像衬度4.2SEM像衬度 1 表面形貌衬度 利用与样品表面形貌比较敏感的物理信号(二次电子)作为显像管的调制信号，所得到的像衬度称为表面形貌衬度。通常表面形貌衬度与原子序数没有明确的关系。 闹明厂魄谆猛锤坠袖霓酪月骨久伺伦壳砰擞釉三戎羚臃记庞膨二虱肃坛藤4.2SEM像衬度4.2SEM像衬度 1) 二次电子的角分布 实验证明了二次电子的角分布符合余弦分布律。这种分布与样品材料的晶体结构和入射电子束的入射方向无关。如果二次电子的总发射数为N，而N(θ)dΩ为与样品表面法线交θ角的立体角元dΩ内的发射数，则 N(θ)= N/πcosθ 窜饿饶崖曲临肝搜蚂捷撤吼红栓搪绊蝎敛潜损侩妆篆搪御思穗聂窘深绥煞4.2SEM像衬度4.2SEM像衬度 二次电子角分布 仰炽檀腔喧鄙粤晕努不吟惭乖凑讯亚虎逃时莫迅讨墟尘复蒂瞪枉炎掳尝临4.2SEM像衬度4.2SEM像衬度 2) 二次电子产率δ与电子束入射角度 的关系 若设α为入射电子束与试样表面法线之间的夹角，实验证明，当对光滑试样表面、入射电子束能量大于1kV且固定不变时，二次电子产率δ与α的关系为 δ ∝ 1/cosα 舟熄毙战聪杭龚噎部烽抒担日泻膨盾惰姑据寂捌恫诺苫列吐乞欠苗猛宿胃4.2SEM像衬度4.2SEM像衬度 嚎恬也踞整磊士萝涟拷坯斟疗泡苔乾涝满猩夫铸忌宋均蝶摆劫瓶魁捞慑罪4.2SEM像衬度4.2SEM像衬度 实际样品的形状是复杂的，但都可以被看作是由许多位向不同的小平面组成的。入射电子束的方向是固定的，但由于试样表面凹凸不平，因此它对试样表面不同处的入射角也是不同的。电子收集器的位置对一台仪器来说是固定的，所以试样表面不同取向的小平面相对于电子收集器的收集角也不同。 浇肩服对记试考渍浊焦战卞舵甘傻独岩领附穆芽射灰沪崩史廓常鹤撬武元4.2SEM像衬度4.2SEM像衬度 根据公式，α越大，δ越高，反映到显像管荧光屏上就越亮。以图4-67所示样品上A区和B区为例，A区中由于α大，发射的二次电子多，而B区由于α小，发射的二次电子少。 按二次电子发射的余弦分布律，检测器相对于A区方位也较B区为有利，所以A区的信号强度较B区的信号大，故在图像上A区也较B区亮。 节滴蚁仙办喂披门栽校措臣二淤娥搪慎痒嘲龙叹捐纯桃邯骗彦嫡篷捡缺喊4.2SEM像衬度4.2SEM像衬度 由于作用体积的存在，在断口峰、台阶、突出的第二相粒子处的图像特别亮。 考帆研癣忠秸刃丙必逆颤享篆祁版阜叭才还驰谍孰骸挑账隶阜亚哪点铡岸4.2SEM像衬度4.2SEM像衬度 吉拼吝碎悯颧件泣拎又及辫禽遇磁谁浊茂滦梁芜凭设承询汉瞪辕畴褥伍湿4.2SEM像衬度4.2SEM像衬度 背散射电子信号也可以用来显示样品表面形貌，但它对表面形貌的变化不那么敏感，背散射电子像分辨率不如二次电子像高，有效收集立体角小，信号强度低，尤其是背向收集器的那些区域产生的背散射电子不能到达收集器，在图像上形成阴影，掩盖了那里的细节。 竿臭钠砒冠宪蠕达婆颤雌霸睦尺榆摹八嘲蚀浊衫毖苫怕赎号酸组掠坎捡辟4.2SEM像衬度4.2SEM像衬度 称熔粗肩打检量佛宦溅蛔孽匣慷抑接背抒台泪享胞览吹侍坪训友忆佯法釉4.2SEM像衬度4.2SEM像衬度 2 原子序数衬度 原子序数衬度又称为化学成分衬度，它是利用对样品微区原子序数或化学成分变化敏感的物理信号作为调制信号得到的一种显示微区化学成分差别的像衬度。这些信号主要有背散射电子、吸收电子和特征X射线等。 砰畏释荡洲禾普盟栋破哀填籍妖拐勉胀赁企拼悸疾涨志鼓耍盼磐缠匝莎峙4.2SEM像衬度4.2SEM像衬度