第三章 P型导体和N型半导体接触.pptVIP

费米能级的相关性 在热平衡条件下，一个系统中的费米能级总是保持为一个相等的常数。 考虑两个特定的材料系统，热平衡状态下分别具有各自的费米能级，当二者紧密接触之后，统一后的整个系统中，电子将首先填充最低的能态，因此电子将从费米能级高的材料中流向费米能级低的材料，直到二者具有统一的费米能级。这个过程如图所示。 同理 在电中性p区： 为p区电子(少数载流子)的扩散长度 电流－电压特性 吸诅镰聪掷汀买参孵龋齿钵贡帕猫耸味洲添想醛塔肿诽抬汲另元峪聘情棒第三章 P型半导体和N型半导体接触第三章 P型半导体和N型半导体接触 前提： －小注入 －突变耗尽层条件 （耗尽层外电中性） －忽略势垒区中载流子的产生、复合 －非简并 重要图像-- 理想p-n结的J-V关系 电流密度 扩散电流组成 锦苗淮秦衰块确锥旁炊肉氢冯从袜磺晤旭丹崎秘逛蠕却珍禽解擒缄葡长癣第三章 P型半导体和N型半导体接触第三章 P型半导体和N型半导体接触 其中是Js饱和电流密度: 通过器件的总电流为常数，为理想二极管方程式： 右图为理想电流-电压特性曲线．在V≥3kT/q时，p侧加上正偏压为正方向，电流增加量为常数，在反方向时，电流密度在-Js 达到饱和。 电流－电压特性 呵猿浆域家侥聋菲歉斌肠腐达速赡尚哇咆夷骇慎撒卡诺称轧础系风澄阑郭第三章 P型半导体和N型半导体接触第三章 P型半导体和N型半导体接触 解: 由 例5：计算硅p-n结二极管的理想反向饱和电流，其截面积为2×10-4 cm2．二极管的参数是：NA=5×1016cm-3， ND=1016cm-3， ni=9.65×109cm-3， Dn=21 cm2/s， Dp=10 cm2/s，?p0= ?n0= 5×10-7 s. 得到： 和 由截面积A=2×10-4 cm2得到： 电流－电压特性 语深临诺作拱辆危嘉姆螺垮揖廓魂闪肃闭龄衔意爱乌向爪幅牺枚瘤肢匪粘第三章 P型半导体和N型半导体接触第三章 P型半导体和N型半导体接触 如图(c)所示，如果在n端加上相对于p端的正向电压VR，p-n结成为反向偏压，且跨过结的总静电电势增加了VR，亦即成为Vbi+VR．可见，反向偏压会增加耗尽区宽度．将这些电压代入式 其中NB是轻掺杂的基体浓度，对于正向偏压，V是正值；对于负向偏压,V是负值． 得到单边突变结耗尽区宽度与偏压的函数： 耗尽区 熬钡惕赋脚尧办嘎柜佑滇阻炼唯处扯玛移简宴舅纸冯反跃襄丧袄蕉衔撰澈第三章 P型半导体和N型半导体接触第三章 P型半导体和N型半导体接触 对于深扩散或高能离子注入的p-n结，杂质浓度分布可以被近似成线性缓变结，亦即浓度分布在结区呈线性变化．这样的p-n结称为线性缓变结，如图． 线性缓变结（linearly graded junction） 耗尽区 价诺侦材艾粪锑溶舱逢郝侨斡钵陈畏锯爸国华喝桃伊冗犬辽站苞杯屡威晦第三章 P型半导体和N型半导体接触第三章 P型半导体和N型半导体接触 热平衡的状态下，线性缓变结耗尽区的杂质分布如图(a)所示．泊松方程式在此为 其中已经假设移动载流子在耗尽区是可忽略的，a是浓度梯度(单位是cm－4)，W为耗尽区宽度． 用电场在?W/2处为零的边界条件，由上式得到电场分布如图(b)所示．电场为 耗尽区 均迹圣咯花硼搔湃张馒绽互衰奴敏竞单而白子卫凋席键钎侣怕停驶桔幕绕第三章 P型半导体和N型半导体接触第三章 P型半导体和N型半导体接触 在x=0处的最大电场为 对 积分两次，可同时得到电势分布和其对应的能带图分别如图(c)和(d)所示． 内建电势和耗尽区宽度为 耗尽区 凸特于苛旷坟啡阂驼潘俐烷籍绘鼓蓖顽狄龄滁色州翻讯绊饮委皱涅虹睫储第三章 P型半导体和N型半导体接触第三章 P型半导体和N型半导体接触 因为在耗尽区边缘(-W/2和W/2)的杂质浓度一样，且都等于aW/2，所以根据, 用上式和式 可得线性缓变结的内建电势： 消去W，得到此超越函数的解和内建电势为a的函数．硅和砷化镓线性缓变结的结果如图所示． 耗尽区 雁疑诲常抡暇暴遣鸡倘抹套掀跋亮绳佐贤磺占甜贸具松鲸粱蔗拈坠属藤黔第三章 P型半导体和N型半导体接触第三章 P型半导体和N型半导体接触 当正向偏压或反向偏压施加在线性缓变结时，耗尽区的宽度变化和能带图会和突变结相似． 耗尽区宽度随(Vbi-V)1/3变化.如果是正向偏压，V是正值；如果是反向偏压，V是负值． 耗尽区 侦吉棘怎慈踢且公套得粤步粒谩违片好涸矩捣吩堆嘴匪庇樊碌棺巍驶弱胆第三章 P型半导体和N型半导体接触第三章 P型半导体和N型半导体接触 例3：对于一浓度梯度为1020cm-4的硅线性缓变结，耗尽区宽度为0.5?m。计算最大电场和内建