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Mott两流体模型 Mott两流体模型 近似：电子与（热激发）自旋波散射可以忽略 （低于居里点） 只考虑电子与磁性离子自旋间的散射。 （s－d散射） 约定：与磁矩同方向的电子处于主要子带（majority） 相反方向自旋电子处于次要子带（minority） Mott两流体模型 散射过程中没有自旋反转 S↑电子未被d ↑（ majority ）电子散射，对电导贡献大 S↓ 电子 被d ↑（ majority ）电子散射，对电导贡献小 结果： 电导的自旋相关因子 Mott模型和GMR效应 Mott模型和GMR效应 按Mott模型（看上图） 电子自旋与所在层磁矩 相同时， s电子与（Majority）d 电子散射弱， 电子自旋与所在层磁矩 相反时， s电子与（Minority）d 电子散射强。 Mott模型和GMR效应 如果，平均自由程 （单层厚度） 磁电阻比率 其中， 计算穿透率 T 自由电子情况 结果： 简化： 位垒 与坐标无关， （1）强入射、弱势垒，入射能量 E接近 V0、 绝缘层很窄 (X2-X1)→ 0。 那么，I → 0；T→1。 电子穿透。 （2）弱入射、强势垒 那