第5章场效应管及放大器.ppt

N沟道JFET，是在一根N型半导体棒两侧通过高浓度扩散制造两个重掺杂P++型区，形成两个PN结，将两个P++区接在一起引出一个电极，称为栅极(Gate)，在两个PN结之间的N型半导体构成导电沟道。在N型半导体的两端各制造一个欧姆接触电极，这两个电极间加上一定电压，便在沟道中形成电场，在此电场作用下，形成由多数载流子——自由电子产生的漂移电流。我们将电子发源端称为源极(Source)，接收端称为漏极(Drain)。在JFET中，源极和漏极是可以互换的。 5.1 结型场效应管 5.1.1结型场效应管的结构（以N沟为例）： 5 场效应管放大电路 场效应管与晶体管不同，它是利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。这种器件不仅兼有体积小、重量轻、耗电省、寿命长等优点，而且还有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单的优点，场效应管中是多子（一种）导电（单极性器件）。 根据结构的不同场效应管有两种: 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOSFET N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 N沟道 P沟道 N 沟道 JFET P 沟道 JFET 动画(JFET的结构） 5.1.2结型场效应管的工作原理 （1）栅源电压(vGS)对沟道(iD)的控制作用 ②当vGS＜0时， PN结反偏，│vGS│↑时 ?耗尽层加厚?沟道变