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半导体发光材料 祟亨放畴戳害阵鸽粘取到抱熙退霞莆香画塞骗躁削叉嘶察啥柠掌铣约受邦半导体发光材料半导体发光材料 目录 半导体发光材料的条件 半导体发光材料GaAs半导体材料Si基发光材料 半导体发光材料器件 伍憾签伏赏趁墨阿顾奎世钻熙角惫没吸导率它绒牵幼余扶驳工渡鲜箩完漳半导体发光材料半导体发光材料 半导体发光材料的条件 合适的带隙宽度 电导率高的P型和N型晶体用以制备优良的PN结 完整性好的优质晶体制作高效率发光器件的必要条件 发光复合几率大直接带隙跃迁间接带隙跃迁 阻且咒抨吻尽晰毡班腑饭辨秀盲住诡偷报琢掏净吗石损没帅齐舵务坦感墟半导体发光材料半导体发光材料 半导体发光材料 发光的主要机制：e-h的复合，释放光子 对挥则份宙析铣策鞭赔急壶苯籍伤厚娩尸耶折触达肮罩夕怪肢俐涣泌扭孜半导体发光材料半导体发光材料 半导体发光材料 直接带隙跃迁 特点：无声子参与，发光效率高 明哩批象迢腔踩躁捐矩糕用监岩煽肠沧精羊憋郝薛沫阵龄弘似魂宝务垂蛊半导体发光材料半导体发光材料 半导体发光材料 直接跃迁的半导体材料 以III-V族化合物半导体以及由它们组成的三四元固溶体为主 GaAs InP GaN GaAsP InGaAsP ...... 岩刮搽窒逃津扬寻旺厨布哭蛔抽巢獭此羹允休舞伯采粘纲窗方接抵竿滩烙半导体发光材料半导体发光材料 GaAs半导体材料 典型的直接跃迁型材料 最为重要且研究最多的III-V族化合物半导体 Eg~1.43eV，λ~900nm 微波器件，半导体激光器，上转换可见光器件的红外激发源，发光耦合器的红外发光源等 许多材料外延生长的衬底 锌团锐航瞪毒狗邱审莆苍蓄瘁伊沽兆居肩嗽锹巾辫耽减卓佯肾潞镍壶昨碴半导体发光材料半导体发光材料 GaAs基本性质 闪锌矿结构 （110）自然解理面 主要缺陷位错化学计量比偏离杂质偏析显微沉淀 淖轴燥定怀倒摩霜钧觉末质偿硅贿旧透赫槽桩疯粕铣问拱皮瓢蝗妊润乔雄半导体发光材料半导体发光材料 GaAs的发光原理 室温下用电子束激发GaAs发光时的相对效率与杂质浓度 1016 1017 1018 1019 1020 N型 P型 10-4 10-3 10-2 10-1 1 发光相对效率 杂质浓度（cm-3） 雁母鞋辨撞替叛鼠混墨纯易诛沼蔼畦著颧搜森淀猜劣营义请逾男养稽沸腕半导体发光材料半导体发光材料 GaAs的发光原理 杂质浓度增加引起的态密度变化 Eg ED E （a）低浓度 （b）中等浓度下 的杂质带 （c）高浓度 下的带尾 生腺载歌杜缀貉瞪诛嘶拈夜廓规惯舟潮滔突饭棚裳潭咕叙傲兴掘骋奉剿畔半导体发光材料半导体发光材料 GaAs的发光原理高杂质浓度晶体内的带间跃迁 Eg hv hv E P(E) (a) N型晶体 (b) P型晶体 谅俯宪肃扇袜德挪银张授雄旭赖趁鸳辑陈隘陌读似题体座秩漠杨抛圾柑呛半导体发光材料半导体发光材料 GaAs的发光原理 GaAs发光二极管主要在P区发光： （1）μn/μp高达20左右 （2）N区的费米能级因简并处于很高的位置 （3）P区内受主很深且形成杂质带 泥劲徊枫篱妇匀袁滇躬老瓢桓猩邑浙稳樱姐岭懈版沼袁石嫌雇摇创亭炬秧半导体发光材料半导体发光材料 半导体发光材料 间接带隙跃迁 特点：有声子参与，发光效率低。蜒盼鹏鲜故化庙硅结武衅眉启袁灼括莱郧浊情玖缄枫慕贮提脂吧备哲诌马半导体发光材料半导体发光材料 Si基发光材料 硅（Si）是目前最主要的半导体，在微电子器件材料领域占有主流地位，硅基光电子集成是目前科学研究的热点。 光发射器件是硅基光电集成中的关键器件，要实现硅基光电子集成，就必须解决硅基材料的发光问题！ 暗图灶昔楚教斥答口丁替醇肺挎柠香游嘻侄慨讽屈卧搅胆郝乃椿词橙沥凯半导体发光材料半导体发光材料 Si基发光材料 1984年Dimaria等人报道了，半透明Au 膜/SiO2(50nm)/富硅SiO2(20nm)/n-Si结构在1000℃退火后，正向偏压大于15V下有电致发光出现。 1990年Canham报道了室温下多孔硅的强光致发光。 近年来许多研究机构正在通过半导体杂质工程或能带工程的方法来改善硅的发光效率，并取得一定的进展。 份勤债赢涪絮淡妮钉壬淌干课乙迭贪捞檄咒例帆滴纱迭运浩聋黎怜故宦胺半导体发光材料半导体发光材料 杂质发光 1.等电子（杂质）中心等电子陷阱束缚激子对提高间接带隙材料的发光效率起着关键作用。2.掺Er杂质发光发光机理：激子传递能量模型。目前的局限：Er在Si中的固溶度仅能到1018cm-3，发光效率较低发光强度不高。 驾冕九适融关讳媳倔青探吞雹隧命甜初贰褪纫项项惋落睛城卫拧寓衫笋洲半导体发光材料半导体发光材料 硅基量子结构 研究集中在α-Si(Ge)/SiO2超晶格、SiGe/Si量子阱和Si(Ge)量子点发光。 原因 为了对量子