第一章 材料在单向静拉伸载荷下的力学性能解析.ppt

* 2）舌状花样－解理断裂的另一微观特征。 舌状花样：因在电镜下类似于“人舌”而得名。 它是因解理裂纹沿孪晶界扩展留下的舌头状凹坑或凸台。 在匹配断口上“舌头”为黑白对应的。 * （一）解理裂纹的形成和扩展： 裂纹形成必与塑性变形有关，而塑变又是位错运动的反映。 因此，裂纹形成与位错运动有关－提出裂纹形成位错理论。 1)甄纳（G.Zener）-斯特罗（A.N.Stroh）位错塞积理论: 该理论是甄纳（G.Zener）1948年提出，其模型如图。 位错塞积形成裂纹 在滑移面上切应力作用下，刃位错互相靠近，当切应力达到某一临界值时，塞积头处的位错互相挤紧、聚合而成为高nb、长为 r 的楔形裂纹（或空洞形位错）。 * 形成裂纹的力学条件： 则形成裂纹所需的切应力： 若 r 与晶面间距 a0 相当，且 E=2G（1＋ν），则 位错塞积形成裂纹 以上所述解理裂纹形成，但并不意味会迅速扩展而断裂。 * 解理断裂过程三阶段： （1）塑性变形形成裂纹；（2）裂纹在同一晶粒内初期长大（3）裂纹越过晶界向相邻晶粒扩展。 这与多晶体金属的塑性变形过程十分相似。 * 如图，裂纹底部边长即为切变位移nb，它是由τ－τi 作用结果。当滑移带穿过直径为d 的晶粒。则原来分布在滑移带上的弹性剪切位移为： 位错塞积形成裂纹 柯垂耳用能量分析法推导出解理裂纹扩展的临界条件： 即：裂纹扩展时外加正应力σ所作功必须等于产生裂纹新表面的表面能γs 。 * 滑移带上切应力因出现塑性位移nb 而被松驰， 故弹性剪切位移应等于塑性位移nb ，即 代入 因屈服时（τ＝τs）裂纹已形成，而τs又和晶粒直径间存在霍尔－派奇关系，即 由此可推导出： 位错塞积形成裂纹 * 上式中： σc－表示长度相当于直径d 的裂纹扩展所需之应力，或裂纹体的实际断裂强度。 该式也是屈服时产生解理断裂的判据。 可见，晶粒直径 d 减小，σc 强度提高。 位错塞积形成裂纹 柯垂耳用能量分析法推导出解理裂纹扩展的临界条件： * 2）柯垂耳位错反应理论 柯垂耳（A.H.Cottrell）为解释晶内解理和bcc晶体中解理而提出。 裂纹成核：位错反应形成不动位错→位错群塞积→产生裂纹 在bcc晶体中，有两相交滑移面（10-1）和（101），与解理面（001）相交，三面之交线为〔010〕。 新形成位错在（001）面上，而不在bcc晶体固有滑移面族｛110｝，故为不动位错。 则（10-1）面上b1为的刃位错，（101）和沿面b2的刃位错，于〔010〕轴相遇，并产生下列反应： * 结果两相交滑移面上的位错群就在该不动位错附近产生塞积。当塞积位错较多时，产生裂纹nb。 何垂耳位错反应理论是降低能量过程，故裂纹成核是自动进行的。 fcc金属：虽有类似的位错反应，但不是降低能量的过程，故不可能具有这样的裂纹成核机理。 位错反应形成解理裂纹，其裂纹扩展力学条件与位错塞积形成裂纹相同。即 上述位错塞积和位错反应两种解理裂纹形成模型的共同点： 1）裂纹形核前均需有塑性变形； 2）位借运动受阻，在一定条件下便会形成裂纹。 实验证实：裂纹常在晶界、亚晶界、孪晶交叉处出现。 如：体心立方（bcc）金属在低温和高应变速率下，常因孪晶与晶界或和其它孪晶相交导致较大位错塞积而形成解理裂纹。 不过，通过孪生形成解理裂纹只有在晶粒较大时才产生。 * 1.6.2 金属的断裂强度 1. 理论断裂强度： 决定金属材料强度的最基本因素是原子间接合力。 原子间结合力越高，则弹性模量、熔点就越高。 由原子间结合力推导出晶体在切应力作用下，两原子面作相对刚性滑移时所需的理论切应力，即理论切变强度τｍ。 结果表明： 理论切变强度与切变模量G 差一定数量级。 τｍ－晶体产生刚性滑移所需理论临界分切应力， 即晶体的理论切变强度。 * 同样，也可导出在外加正应力作用下，将晶体两个原子面沿垂直于外力方向拉断所得的应力，即理论断裂强度。 计算表明，理论断裂强度与弹性模量 E 也差一定数量级。 通常σm＝ E /10 * 1. 理论断裂强度 设完整晶体受拉应力作用，原子间结合力σ与原子间位移x关系可用近似正弦曲线表示（如图）。 1）x＝a0 （点阵常数），原子处平衡位置， σ＝0。 2）当金属受拉离开平衡位置，位移 x 越大、引力σ越大 3）x＝λ/4 ，吸力σ最大，以σm 表示，而当拉力超过此值以后，引力逐渐减小。σm 即代表晶体在弹性状态下最大结合力（即理论断裂强度） 4）x＝λ/2，原子间作用力为0，即原子键合已完全破坏，达到断裂的程度。 * 若位移很小，则 ，于是 若在弹性状态下晶体破坏，根据虎克定律： 代入上式，得 * 理论断裂强度 另一方面，晶体脆性断裂时所消耗功用来供给形成两个新表面所需之表面能。 设裂纹面上单