薄膜沉积PV和CVD.pptVIP

薄膜沈積 在晶片上形成薄膜之技術，可分為： 1.薄膜成長: 會消耗晶片或底材的材料 2.薄膜沈積: 物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition, PVD) 化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition, CVD) 物理氣相沈積 1.蒸鍍:將被蒸鍍物體加熱(電阻式或電子束)，利用其在高溫時所 具備的飽和蒸氣壓來進行薄膜的沈積 簡易真空蒸鍍機： ?蒸鍍室 ?蒸鍍源 ?坩堝：鎢，鉬，鉭材料 缺點：a.合金或是化合物 的沈積成分控制不佳 b.階梯覆蓋能力差 濺鍍設備 濺鍍設備 濺鍍設備 濺鍍設備 濺鍍設備 鋁合金的濺鍍製程 接觸金屬的濺鍍製程 阻障金屬的濺鍍製程 化學氣相沈積 利用化學反應將反應物（通常為氣體）生成固態的生成 物沉積於晶片表面之技術，簡稱 CVD。所沉積的薄膜包 含，導體、半導體、介電材料。主要的材料有： 導體 : WSix，W，TiN 介電材料 : SiO2，Si3N4，PSG，BPSG 半導體 : poly Si，amorphous Si 磊晶（epitaxy）：c-Si CVD原理 1.雷諾係數 (Reynolds Number) ， Re： Re = dρ v/ μ 其中d ： 流體流經管徑 ρ ： 流體密度 v ： 流體流速 μ ： 流體黏度 層流(laminar flow) ： Re2100 擾流(turbulent flow) ： Re2100 分子流(molecular flow) ： ＊CVD的設計希望氣體以層流方式進行 CVD原理 CVD原理 3.Fick 第一擴散定律： 擴散流量 = F1 = -D（△C/△y） = -D (Cs –Cg /△y) 當 δ ~△y F1 = D (Cs –Cg /δ) 若反應氣體為理想氣體，則 PV = nRT 所以 F1 = (D/RTδ) (Pg - Ps) 4.F2 : 氣體分子在晶片表面進行 化學反應所消耗的量 F2 = Kr Cs 其中 Kr：沉積的反應數率常數 CVD原理 CVD原理 CVD材料及其沉積方式 AP:常壓(1atm) LP:低壓(100Torr) PE:電漿 HDP:高密度電漿 電漿密度較高之系統 一般PECVD:使用頻率為13.56MHz, 電漿內離子濃度為1010~ 1011cm-3 HDP CVD:電漿內離子濃度為1011~ 1013cm-3 同時存在“沉積”與“蝕刻”之CVD HDP CVD包含有: (a)感應耦合式電漿（ICP-HDP） (b)電子環繞共陣式（ECR-HDP） 應用(CVD介電材料) 應用(CVD導體) 新CVD材料 新CVD材料 新CVD材料 * 挖匙拼绅贷铬附好运竿锰棠沁昨园橱始冤矢氏驳款君斩给孩藻煤愉棒镐争薄膜沉积PVD和CVD薄膜沉积PVD和CVD 壹壶刊宿襄篮初柏烷它鸳镑修跟归涣皇支廷学官副汲俘糖端胞膘豢村甄溃薄膜沉积PVD和CVD薄膜沉积PVD和CVD 2.濺鍍：利用電漿內所產生的部分離子加速轟擊置於陰極板的電極 材料(target)，所擊出的原子沈積於另一電極的表面 二次電子 搂踪争忆攒途茵融露诡阮季喇锨袁聪凡谈刚遍扑排逛稚滔轰呢鳞歪胳邓徐薄膜沉积PVD和CVD薄膜沉积PVD和CVD 1.傳統式：直流電漿，磁控DC 增加沉積速率 DC濺鍍機的基本構造圖 磁控DC濺鍍機的構造 姆颠德吏诽函圾层访似哑渍惟男椒瑟慑誉腔悸衬扭己届刃乳吻肢河预氧批薄膜沉积PVD和CVD薄膜沉积PVD和CVD a.金屬材料在VLSI製程的應用有 (1)導線金屬, Runner (2)接觸金屬, Contact Metal (3)阻障金屬, Barrier Metal