E-beam 原理介绍洲磊.pptVIP

坩堝加熱技術介紹 電阻式：所得溫度無法太高，蒸鍍熔點較高的金屬較困難，所以對熔點較低的AU相當適合。 感應式：利用外加RF Power，在靶材中引起eddy current(渦流)進而加熱，其缺點為加熱時連同坩堝一起加熱，容易造成污染。 電子束式：電子束易引起radiation(輻射)的破壞，對於MOS元件不適合；但可利用多種金屬源，蒸鍍不同材料，在LED晶粒製程上使用較多，所引起的radiation對LED破壞較小。 E-Beam蒸鍍系統之次系統 真空腔體 真空抽氣系統 電子槍體及電源供應系統 加熱系統 膜厚量測及控制系統 晶片承載裝置 應用 用途：金屬化合物，透明導電膜等薄膜製造。 應用實例：GaN LED TCL(Ni/Au，透明導電層)蒸鍍 結論 Metal coating製程廣泛應用在光電元件製作(如LED電極、LED反射層、LASER FACET coating、DWDM及DWDM AR coating等)上，其中以E-Gun deposition 的方式最適合用在LED及LASER的製程上(蒸鍍層數少、蒸鍍層薄，細緻度高)。 E-beam可利用多種金屬源，蒸鍍不同材料，在LED晶粒製程上使用較多，所引起的radiation對LED破壞較小。 相對於離子濺鍍而言，E-Beam蒸鍍所打出的靶材顆粒較小，飛散出來的角度較大，故鍍的面積較大且較緻密，但膜厚均勻性較差，故適合用於LED反射層及電極的蒸鍍，而不適合用於較高等級的光學多層膜如(雷射facet coating及DWDM多層膜的蒸鍍)。 * E-Beam蒸鍍原理 利用高壓電使鎢絲線圈產生電子後，利用加速電極將 電子引出，再透過偏向磁鐵(Bending magnet)，將電子 束彎曲270o，引導打到坩堝內的金屬源上，使其熔融。 因在高真空下(4×10-6torr)金屬源之熔點與沸點接近，容 易使其蒸發，而產生金屬的蒸氣流，遇到晶片時即沉積 在上面。 在坩堝四周仍需有良好的冷卻系統，將電子束產生的熱 量帶走，避免坩堝過熱於融化，形成污染源。 設備 機台全景 日本真空機台 富臨機台 設備結構 坩鍋及擋板 E-Gun 機械式真空pump Cryo pump 操作面板配置 設備結構 二 *