M8911优势BP3315.docVIP

概述： M8911是一款隔离式、单级有源功率因数校正的高精度原边反馈LED恒流控制芯片，适用于全范围输入电压的反激式隔离LED恒流电源。M8911集成有源功率因数校正电路，具有很高的功率因数和较低的总谐波失真。工作在电感电流临界连续模式，功率MOS管处于零电流开通状态，减小开关损耗。M8911工作于原边反馈模式，无需次级反馈电路，即可实现高精度输出恒流控制。 特点： 应用： ■内置单级有源功率因数校正，PF0.9 ■LED球泡灯、射灯 ■原边反馈，无需光耦，TL431等器件 ■LED PAR灯 ■高性能的线电压调整率和负载调整率 ■LED日光灯 ■±3%输出电流精度 ■其它 ■内置650V功率MOSFET ■启动电流(33uA) ■INV反馈电阻值高，功耗低 ■多重保护功能 LED开路/短路保护 电流采样电阻开路保护 逐周期原边电流限流 芯片供电过压/欠压保护 自动重启功能 过热调节功能 ■采用SOP-8封装 典型应用： 图1 M8911典型应用图 管脚排列图: M8911 M8911 图2 M8911管脚排列图 管脚描述： 管脚名称 管脚号 管脚描述 COMP 1 环路补偿点 VDD 2 芯片供电 INV 3 辅助绕组反馈信号采样端 SEN 4 电流采样端，接采样电阻到地 DRAIN 5,6 内部高压MOSFET的漏极 GND 7,8 芯片信号和功率地 极限参数： 符号 名称 参数范围 单位 VDS 内部高压MOSFET漏极到源极的峰值电压 -0.3~650 V VDD 电源电压 -0.3~25 V ICC_MAX VDD引脚最大钳位电流 5 mA COMP 环路补偿点 -0.3~6 V INV 辅助绕组的反馈端 -0.3~6 V SEN 电流采样端 -0.3~6 V PDMAX 功耗(注2) 0.45 W θJA PN结到环境的热阻 145 ℃/W TJ 工作结温范围 -40 to 150 ℃ TSTG 储存温度范围 -55 to 150 ℃ ESD (注3) 2 KV 推荐工作范围： 符号 名称 参数范围 单位 VDD 电源电压 8.5—18V V Pout1 输出功率（输入电压230V±15%） 10 W Pout2 输出功率（85V—265V） 7 W 注1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。 注2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由TJMAX, θJA,和环境温度TA所决定的。最大允许功耗为PDMAX= (TJMAX-TA)/ θJA或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。 注3：人体模型，100pF电容通过1.5KΩ电阻放电。 电气参数：Tc=25℃ 符号 参数描述 条件 最小值 典型值 最大值 单位 电源电压 VDD_ON VDD启动电压 VDD上升 16.7 V VDD_UVLO VDD欠压保护阈值 VDD下降 7.5 V VDD_OVP VDD过压保护阈值 19 V VDD_CLAMP VDD钳位电压 23 V Icc_UVLO VDD关断电流 VDD上升VDD=VDD_ON-1V 33 50 uA Icc VDD工作电流 1 2 mA INV反馈 VINV_FALL INV下降阈值电压 INV下降 0.1 V VINV_HYS INV迟滞电压 INV上升 0.08 V VINV_OVP INV过压保护阈值 1.6 V TON_MAX 最大导通时间 25 uS TOFF_MIN 最小关断时间 4.5 uS TOFF_MAX 最大关断时间 100 uS 电流采样 VSEN_LIMIT SEN峰值电压限制 1.0 V TLEB_SEN 电路采样前沿消隐时间 350 ns TDELAY 芯片关断延迟 200 ns 环路补偿 VREF 内部基准电压 0.194 0.200 0.206 V Vcomp_LO COMP下钳位电压 1.5 V VCOMP COMP线性工作范围 1.5 3.5 V VCOMP_OVP COMP保护电压 3.6 V 功率MOSFET RDS_ON 功率MOSFET导通电阻 VGS=10V/IDS=1A 4.2 Ω BVDSS 功率MOSFET击穿