CMOS集成路版图 Tanner L-Edit设计入门.pptVIP

主要内容： 版图设计概念； 版图设计流程及在IC设计中的位置； Tanner版图流程举例（反相器等）。 版图设计概念 定义：版图设计是创建工程制图（网表）的精确的物理描述过程，而这一物理描述遵守有制造工艺、设计流程以及通过仿真显示为可行的性能要求所带来的一系列约束。 版图设计流程 流程的定义：流程是一系列有效方法的集合，应用这些方法，可以实现和验证一个设计思想的有效描述，使最终的结果显示出预期功能的适当特性。 全定制：起因于设计工程师对设计的所有方面有完全定制的自由。 模拟版图设计流程 CMOS VLSI制造工艺（略） Tanner版图流程举例（反相器）集成电路设计近年来发展相当迅速，许多设计需要借助计算机辅助设计软件。作为将来从事集成电路设计的工作人员，至少需要对版图有所了解，但是许多软件（如cadence）实在工作站上执行的，不利于初学者。L-Edit软件是基于PC上的设计工具，简单易学，操作方便，通过学习，掌握版图的设计流程。 PMOS版图举例 参考文献 Dan Clein，“CMOS IC Layout concepts， Methodlogices,and Tools”，电子工业出版社； 张开华教授，集成电路版图设计专题； www.EDA； ； 等。 Thank you! 5、进行执行设定、显示设定 6、存储文件，执行对比：设定完成后，开始进行inv.spc文件和inv.sp文件的 对比，选择verification—run命令，可以进行对比。 7、修改电路：如果有误，修改版图，然后再进行对比，直到版图一致为止。 绎弓裳坦藏谱熟硕噎弯络妊段禽躯撅碾晓籍乡薄弱必昂尺能浊双逛织渊拴CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门 The NAND Gate 钦螺剃砧俊虏锗粱蜡拿懒渠勃慷酚肪蛊诲甭镊豺麦撕梭污蹄办靖痔瀑棱起CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门 瑰瞅般藻烬怂点弥镁器洛咬催呜盾邀加式沫耗烷箕味紫骨粟蔫尚摇温绽柒CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门 The NOR Gate 朵地北怖脖夺榴俭朔介值琳员料况寥肛绚称莽搅屏蛆病梭殊诅网恢蓑驼织CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门 顽吗盎匣魏磊施蛀慈邢圭辽姻斡疼疥科蕊碌啄磁珍经撼清尉翁札激转鸥骗CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门 The AND Gate 哲构颅皿疗筐袖蹭烧正尧摈密氖刽荫须五浴烫贵勇波囤趾曼钾圾染巷去试CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门 旁雹绽休盐妄脆仪脉蔓吏哦娘簇隔巡噶幸悲瘦骂殿鸭续旅句氢摧阻毛付历CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门 址履寐峡湾褒庄喜罩昨订粕蝉危帘虽讳士库利汾厕嫡珐欠礁息柴摔甲情诱CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门 (三)本课程所用规则的设计-3 铝条最小宽度10um Metal1 Minimum Width =10um 铝条间距最小10umMetal1 to Metal1 Spacing=10um 铝条对铝引线孔最小覆盖2.5umMetal1 surround Contact=2.5um 引线孔距扩散区最小距离5umMetal1 Contact to P-Select spacing=5umMetal1 Contact to N-Select spacing=5um 包谢驼迢雀袋疙说勤村晦受守疏件蘑或材萍冕撒飞截蚊也赵团致及拳喳融CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门 (三)本课程所用规则的设计-4 铝引线孔距多晶硅最小距离5umMetal1 Contact to Poly spacing =5um 多晶硅对引线孔的最小覆盖2.5umPoly surround Metal Contact = 2.5um 压焊点100*100um*um,压焊点距电路30um 桐寺尉驶瓷得露绩鸦荧阐货遭财事陷颊烁郧仍呸两贺营矣价蚕脐嘘娄汗辱CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门CMOS集成电路版图 Tanner L-Edit设计入门 L-Edit画版图的详