原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
* Physics of Semiconductor Devices * Physics of Semiconductor Devices 结型场效应晶体管 金属-半导体效应晶体管 5.1 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1、JFET的基本结构与工作过程 2、理想JFET的I-V特性 3、MESFET的基本结构与工作过程 4、JFET和MESFET的类型 5、异质结MESFET和HEMT Outline Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 结型场效应晶体管又称为PN结场效应晶体管。JFET基本上是一个电压控制的电阻，利用一个PN结作为栅极去控制电阻，从而实现对两个欧姆结之间的电流控制。其特点是只有多数载流子承担电流的输运，这种器件是单极器件。 一 JFET的基本结构与工作过程 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 重掺杂P＋层作为衬底。在 P＋衬底上外延生长轻掺杂的N型层。上边的重掺杂P＋层是通过向N型外延层中扩散硼形成的。器件的有源区夹在两个P＋层之间的N型层；有源层也称为导电沟道。上下两个P＋区不是被内连接就是被外连接以形成栅极端。连接在沟道两端的欧姆接触分别称为源极端和漏极端，通过它们流过沟道电流。源极发射载流子，漏端收集载流子。 1、基本结构 ① 标准平面外延－扩散工艺 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 标准平面外延－扩散工艺JFET Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 该技术通过扩散形成沟道和上栅。由于沟道掺入的是施主杂质，沟道电流由电子传输，这种器件称为N沟道JFET。若沟道是受主原子掺杂而栅区为N＋型，则沟道电流是由空穴传输，这种器件称为P沟道JFET。由于电子的迁移率比空穴的高，N沟道JFET能提供更高的电导和更高的速度，因而，在大多数应用中处于优先地位。 ② 双扩散工艺 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 双扩散工艺JFET Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2、工作过程 在x=0处，栅PN结两边的电压为零，在x=L处，整个电压VD都加在PN结上。当电流从漏极沿沟道流向源极时，由于沟道电阻的存在，会在整个沟道产生电位降。使得在漏端空间电荷区向沟道内扩展得更深些。 （忽略接触电阻和体电阻） PN结反偏 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 当电压VD增加时，沟道得狭口变得更窄，沟道电阻进一步增大。随着漏端电压得增加，将会在x=L处的空间电荷区连通，且在连通区域内的自由载流子全部耗尽，即发生沟道夹断。 沟道夹断 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 沟道夹断时的漏电压称为饱和漏电压VDS。夹断以后再继续增加漏电压，夹断点将向源端移动，但由于夹断点电位保持为V
文档评论（0）