第3章半导体材料检测技术(太阳能应用检测与控制技术课件).ppt

3.2.2 测试工艺和方法 2．测试硅晶体中替位碳含量的标准方法 （1）测试方法与范围 （2）测试原理 （3）测量仪器 （4）试样制备 （5）测试步骤 （6）测量结果的计算 （7）碳含量的计算 （8）精确度：单个实验室为±10%。 （9）测试的影响因素 3.2.3 测准条件分析 1．半峰宽对测量的影响 2．样品表面情况的影响 3．光照面积的影响 4．晶格吸收的影响 5．载流子吸收的影响 6．表面薄膜的影响 7．多次反射修正的影响 Xi’an Jiaotong University Xi’an Jiaotong University * * 太阳能应用检测与控制技术 * 单晶硅常规电学参数的物理测试 第3章 半导体材料检测技术 3.1 红外吸收法测定单晶硅中氧和碳含量 3.2 * 半导体材料性能检测是用物理和化学分析法检测半导体材料的性能和评价其质量。它对探索新材料、新器件和改进工艺、控制质量起到重要的作用。在半导体材料制备过程中，不仅需要测量半导体单晶中含有的微量杂质和缺陷以及表征其物理性能的特征参数，而且由于制备半导体薄层和多层结构的外延材料，使测量的内容和方法又扩大到薄膜、表面和界面分析。半导体材料检测技术的进展大大促进了半导体科学技术的发展。半导体材料测量包括杂质检测、晶体缺陷观测、电学参数测试以及光学测试等方法。 * 3.1 单晶硅常规电学参数的物理测试 3.1.1 单晶硅导电类型的测量 1．测试方法分类 ① 冷热探笔法。 ② 三探针法。 ③ 单探针点接触整流法。 ④ 冷探笔法。 ⑤ 四探针法。 * 3.1.1 单晶硅导电类型的测量 2．测试原理 （1）冷热探笔法 如果像如图3-1所示那样，在两根探笔之间接上检流计构成闭合回路，就会发现检流计的指示光点会朝某一个方向偏转，表示回路中出现一定方向的电流，这一电流就是温差电流。 图3-1 冷热探笔法测导电类型 * 3.1.1 单晶硅导电类型的测量 （1）冷热探笔法 图3-3 P型和N型材料产生不同的温差电流 * 3.1.1 单晶硅导电类型的测量 （2）三探针法 图3-4 三探针法测导电类型 图3-5 三探针法的等效电路 * 3.1.1 单晶硅导电类型的测量 （2）三探针法 图3-6 探针1，2回路等效电路和电压与电流波形 * 3.1.1 单晶硅导电类型的测量 （2）三探针法 图3-7 三探针等效电路及电流流向 * 3.1.1 单晶硅导电类型的测量 3．两种方法的比较及其适用场合 冷热探笔法属于利用半导体的温差电效应来测量导电类型的方法，三探针法则是属于利用整流效应的方法来测量导电类型的。 4．测准条件的分析 * 3.1.2 单晶硅电阻率的测量 1．电阻率测量的基本方法 半导体单晶电阻率的测量，按照测量仪器的测试探头与被测半导体单晶接触性质来分，可以分为接触法和无接触法两大类。对于半导体单晶电阻率的测量，主要用接触法。用接触法测量电阻率的方法主要有如下几种。 ① 两探针法。 ② 四探针法。 ③ 扩展电阻法。 ④ 范德堡法。 * 3.1.2 单晶硅电阻率的测量 1．电阻率测量的基本方法 （1）两探针法 图3-10 两探针法测量原理及其等效电路 * 3.1.2 单晶硅电阻率的测量 1．电阻率测量的基本方法 （2）四探针法 图3-11 四探针法测量半导体样品电阻率 * 3.1.2 单晶硅电阻率的测量 2．直流四探针法测量电阻率的基本原理 图3-12 四探针法测量电阻率等效电路 * 3.1.2 单晶硅电阻率的测量 3．四探针法测量电阻率的测准条件 ① 样品的几何尺寸必须近似满足无限大，具体地说即样品的厚度必须大于3倍针距，探针头中任一探针离样品边缘的最近距离不得小于3倍针距（纵向、横断面电阻率测试部位的选择均由此而来）。如果上述条件没有得到满足，需要加以修正。 ② 测量区域的电阻率应是均匀的，为此针距不宜过大，一般采用1～2mm的针距较适宜。 ③ 4根探针应处于同一平面的同一条直线上，为此要求四根探针严格地排成一直线，还要求样品表面应平整。 ④ 四探针与试样应有良好的欧姆接触，为此探针应当比较尖，与样品的接触点应是半球形，使电流成放射状发散（或汇拢），且接触半径应远远小于针距，一般要求接触半径不大于50?m。针头应有一定压力，一般取2×9.8N较适宜。 * 3.1.2 单晶硅电阻率的测量 3．四探针法测量电阻率的测准条件 ⑤ 电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化。 ⑥ 上面所提到的少子注入效应，一方面与电流密度有关，另一方面还与注入处的表面状况和样品本身电阻率有关。注入进去的少子是非平衡载流子，依靠杂质能级和表面复合中心与多子相复合。因此如果材料本身的电阻率低，那么平衡少子寿命低，而表面又进行研磨或喷砂处理