《模拟电路基捶20091022第十四次课.pptVIP

1．跨导gm 电压控制电流 电流控制电流 控制 电压输入 电流输入 输入量 多子参与导电 多子、少子均参与导电 载流子 结型耗尽型：N沟道 P沟道 绝缘栅增强型： N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型： N沟道 P沟道 NPN型，PNP型 结构 场效应晶体管 双极型晶体管 晶体管工作在放大区时，输入回路PN结正偏，输入阻抗小，且是一个电流控制的有源器件。 场效应管也是一种具有PN结的正向受控作用的有源器件，它是利用电场效应来控制输出电流的大小，其输入端PN结一般工作于反偏状态或绝缘状态，输入电阻高。 FET与BJT的比较（一） 易受静电影响 不受静电影响 静电影响 适合于大规模和超大规模集成 不易大规模集成 集成工艺 几兆欧姆以上 几十到几千欧姆 输入电阻 受温度影响较小，有零温度系数点 受温度影响较大 温度特性 较小 较大 噪声 场效应晶体管 双极型晶体管 FET与BJT的比较（二） * * Chap4 MOSFET及其放大电路 （8学时，第十四次课） ylzhang@ee.uestc.edu.cn E-NMOSFET工作原理之有关名词 源极S；漏极D；栅极G；衬底极B； 耗尽层；门限电压VT；反型层；沟道；N沟道； 增强型（Enhancement）; 栅源电压VGS；漏源电压VDS ；漏极电流iD； 预夹断；夹断方程；VDS(sat)； 可变电阻区；放大区/饱和区/恒流区； F