VDMOS氧氧化工艺的研究.docVIP

VDMOS栅氧氧化工艺的研究 摘要为VDMOS栅氧工艺改进提出试验依据，通过了解氧化层的击穿机理和制备方法，以及收集mos电容耐压的测试结果，以提供合适的栅氧工艺。关键词：栅氧、击穿、MOS电容、再分布、Abstract：For offer improving G_OX(gate oxide) technic of VDMOS’s basis, by discussing breakdown principle and facure process of oxide-layer, and collecting the rearults of testing MOS’s capacitance breakdown voltage, to provide fitting G_OX(gate oxide) technic.Key Words：G_OX(gate oxide), breakdown, MOS’s capacitance, second’s distributing前言随着微电子产业，超大规模集成电路的飞速发展，MOS器件的尺寸在不断的减小。在器件尺寸等比缩小的同时，工作电压却没有相应的等比缩小，这就使得薄栅氧化层中的电场强度增大，器件的击穿电压降低，直接影响了器件的可靠性。因此，薄栅氧化层的击穿问题已经成为阻碍集成电路进一步发展的主要因素之一。如何改善栅氧化