第1章_电路和电路元件.ppt

《电工电子学》教学课件主讲：彭爱莲 物理与电气工程学院 电子信箱：ailianpeng@163.com 联系电话第1章 电路和电路元件 1.1 电路和电路的基本物理量 1.1.1 电路 1.1.2 电路元件和电路模型 （1）实际电路元件和理想电路元件 1.1.3 电流、电压及其参考方向 1. 电流及其参考方向 2. 电压及其参考方向 电流、电压、功率的符号和单位 1.2 电阻、电感和电容元件 1.2.1 电阻元件 1.2.2 电感元件 部分电容器的照片 1.2.4 实际元件的主要参数及电路模型 主要参数（额定参数）： 1.3.2 实际电源的模型 1、 实际电源 实际电源一般不具有理想电源的特性，由于内在电阻的影响，电源提供的电压或电流都会发生变化。 1.4 二极管 1.4.1 PN结及其单向导电性 1.4.2 二极管的特性和主要参数 1.4.3 二极管的工作点和理想特性 1.4.4 稳压二极管 1.4.5 发光二极管和光电二极管 1.4.1 PN结的形成及其单向导电性一、PN结的形成扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动。气体、液体、固体均有之。 1.4.2 二极管的特性和主要参数 1.4.3 二极管的工作点和理想特性 1、二极管的工作点 2、二极管的理想特性 1.4.4 稳压二极管 3. 稳压二极管的应用举例 1.4.5 发光二极管和光电二极管 1. 发光二极管 部分二极管的照片 1.5 双极晶体管 1.5.1 基本结构和电流放大作用 1.5.2 特性曲线和主要参数 1.5.3 简化的小信号模型 1. 基本结构和符号 双极晶体管简称晶体管、三极管。 2. 电流放大作用 条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 ☆电流放大作用： 1.5.2 特性曲线和主要参数 1. 共发射极输入、输出特性曲线 截止区：IB=0 曲线一下区域 2. 主要参数 1.5.3 简化的小信号模型 四种受控源符号： 2．晶体管的简化小信号模型 部分晶体管的照片 1.6 绝缘栅场效应晶体管 1.6.1 基本结构和工作原理 1.6.2 特性曲线和主要参数 1.6.3 简化的小信号模型 1.6.1 基本结构和工作原理 类型： N沟道绝缘栅场效应管（NMOS） P沟道绝缘栅场效应管（PMOS） 增强型绝缘栅场效应管 耗尽型绝缘栅场效应管 在二氧化硅绝缘层中掺入大量正离子，不加UGS 在两个N +区之间存在N型导电沟道。 2. 工作原理 在D-S间外加电源UDD，加于G-S间的电压UGS变化时，漏极电流ID变化。 1.6.2 特性曲线和主要参数 1. 特性曲线 2. 主要参数 夹断电压UGS(off) — 耗尽型MOS管参数。 1.6.3 简化的小信号模型 整流二极管 稳压二极管 发光二极管 光电二极管 1. 基本结构和符号 NPN型 P N N C E B 集电结 发射结 发射区 基区 集电区 B E C PNP型 B E C P N C E B 集电结 发射结 发射区 基区 集电区 P ●两个PN结：发射结、集电结 ●三个电极：发射极E、基极B、集电极C ●三个区：发射区—杂质浓度高（多数载流子最多） 集电区—杂质浓度高,比发射区稍低 基 区—杂质浓度相对很低 ☆载流子的运动和电流的形成： 发射结外电场→发射区大量电子载流子向基区运动，电源向发射区补充电子→发射极电流 IE。 进入基区的电子载流子少量与基区空穴复合，电源UBB向基区补充空穴→基极电流 IB。 集电结外电场→基区的大部分电子载流子进入集电区，并由电源收集→集电极电流 IC。 N N P E B C IC + UBB - + UCC - IB IE RB RC 小的基极电流变化量→大的集电极电流变化量，具有电流放大作用，电流控制作用——电流控制型器件。 IE=IB+IC IB+IC≈IE 改变UBE→IB变化→ΔIB，ΔIB→ΔIC、ΔIE ΔIB+ΔIC≈ΔIE ☆输入特性曲线： 与二极管正向特性曲线类似。 ☆输出特性曲线： iB=f (uBE)|UCE=常数 iC=f (uCE)|iB=常数 B E C － + uBE － + uCE iC iB 80 40 0.4 0.8 UCE1V uBE/V O iB/μA 2 uCE/V