半导体物理学-半导体中杂质和缺陷能级讲义.pptVIP

本章小结 掺杂：通过在半导体材料中掺入杂质以改变半导体材料的载流子浓度的方法。 本征半导体：没有掺杂的半导体，其内部的电子和空穴成对出现，叫做本征半导体。 非正征半导体：半导体材料内部由于杂质或缺陷，使得电子或空穴任意一方增加，这样的半导体叫做掺杂半导体。 学完本章后，应具备如下的能力： 1．画出施主和受主杂质电离图 ，说明施主杂质和受主杂质的电离过程 2. 使用能带理论解释施主杂质和受主杂质的 作用 3. 解释杂质的补偿、杂质的双性行为； 4. 解释浅能级杂质和深能级杂质及其作用。 本章小结 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 晶体内杂质原子束缚的电子与类氢模型相比： m0?mn*, mp*; ?0 ? ?r?0 施主杂质的电离能： Si: Ge: 受主杂质的电离能 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 氢原子半径： 施主杂质半径： 基态下（n=1），氢原子的轨道半径： 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.5 杂质的补偿作用 当半导体中同时存在施主和受主杂质时，半导体是n型还是p型呢？ 在半导体中，若同时存在着施主和受主杂质，施受主杂质之间有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。一共有如下三种情况： NDNA NAND NA~ND ~ 1、当 NDNA 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 因为受主能级低于施主能级，所以施主杂质的电子首先跃迁到NA个受主能级上，还有ND-NA个电子在施主能级上，杂质全部电离时，跃迁到导带中的导电电子的浓度为n= ND-NA。即则有效施主浓度为NDeff≈ ND-NA EC EV ED EA 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2、 当NAND 施主能级上的全部电子跃迁到受主能级上，受主能级上还有NA-ND个空穴，它们可接受价带上的NA-ND个电子，在价带中形成的空穴浓度p= NA-ND. 即有效受主浓度为NAeff≈ NA-ND EC EV ED EA 3、当NA?ND时， 不能向导带和价带提供电子和空穴，称为杂质的高度补偿。 这种材料容易被误认高纯半导体，实际上含杂质很多，性能很差， 不能用来制造半导体器件。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 杂质补偿作用是制造各种半导体器件的基础。 如能根据需要用扩散或离子注人方法来改变半导体中某一区域的导电类型，以制成各种器件. 晶体管制造过程中的杂质补偿 n型Si外延层 P N 硼 磷 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 N N 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.6 深能级杂质 在半导体硅、锗中，除Ⅲ、Ⅴ族杂质在禁带中形成浅能级外，其它各族元素掺入硅、锗中也会在禁带中产生能级。这些能级通常是远离导帯底的深施主能级和远离价带顶的深受主能级，见下图，图中“+”表示引入施主能级、“-”表示引入受主能级。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 特点： 1、施主杂质能级距离导带底较远，受主杂质能级距离价带顶较远，这种能级称为深能级，相应的杂质称为深能级杂质。 2、深能级杂质能够产生多次电离，每次电离对应有一个能级。有的杂质既能引入施主能级，又能引入受主能级。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 深能级杂质产生多次电离： 1）I族元素铜、银、金在锗中产生3个受主能级，而金还能产生1个施主能级；在硅中，铜产生3个受主能级，银和金各产生1个受主能级和1个施主能级。锂在锗和硅中是间隙式杂质，产生1个浅施主能级。 2）II族元素锌、镉、汞在锗和硅中均产生2个受主能级，而汞在硅中还产生2个施主能级。铍在在锗中产生2个受主能级，在硅中产生1个受主能级。镁在硅中产生2个受主能级。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 深能级杂质产生多次电离： 3）III族元素硼、铝、镓、铟、铊在锗和硅中各产生1个浅受主能级，而铝在硅中，还能产生1个施主能级。 4）IV族元素碳在硅中产生1个施主能级，而锡和铅在硅中产生1个施主能级和1个受主能级。 5）V族元素磷、砷、锑在硅和锗中各产生一个浅施主能级。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 深能级杂质产生多次电离： 6）VI族元素硫、硒、碲在锗中产生2个施主能级，在硅中，硫产生2个施主能级、1个受主能级；碲产生2个施主能级；而硒产生3个施主能级。氧在硅中产生3个施主能级，还能产生2个受主能级。 7）过渡族元素锰、铁、钴、镍在锗中均产生2个受主能级，其中钴还产生1个施主能级。在硅中锰、铁产生3个施主能级，锰还能产生2个受主能级；而钴则产生3个受主能级、镍产生2个受主能级。 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 金在锗中产生的能级 中性金原子Au0只有一个价电子，它取代锗原子后，金的这一价电子可以电离跃迁到导带