半导体制造工艺_03硅的氧化讲义.ppt

填空题： 1、在硅-二氧化硅系统中存在______电荷、可动电荷、界面态电荷和氧化层陷阱电荷。 2、温度是影响氧化速率的一个重要因素，温度越高，氧化速率越_____（大/小）。 3、在一定的氧化条件下，通过改变氧化剂分压可以改变氧化层生长速率，氧化剂分压越____（大/小），生长速率越慢。 4、清洗硅片所用的化学试剂、去离子水和生产工具、操作者的汗液及呼出的气体等是氧化层中的__离子的来源。 进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图 热氧化法 三种氧化法比较 干氧氧化 结构致密但氧化速率极低 湿氧氧化 氧化速率高但结构略粗糙，制备厚二氧化硅薄膜 水汽氧化 结构粗糙---不可取 实际生产： 干氧氧化 + 湿氧氧化 + 干氧氧化 5 分钟 + （视厚度而定）+ 5 分钟 常规三步热氧化模式既保证了SiO2表面和界面的质量，又解决了生长速率问题 热氧化生长动力学（1） 根据稳态条件： ks为氧化剂与Si反应的化学反应常数 氧化模型 气流方向⊙ Si 气体 氧化层 CS CO d x F1 F2 菲克第一定律 令C1为氧化层单位体积所含氧化剂分子数 热氧化生长速率（1） 在氧化膜中有2.2×1022个SiO2分子/cm3，在进行氧化时，要获得一个SiO2分子，在干氧环境中需要一个氧分子，在水汽环境中需要两个水分子） 热氧化生长速率（2） 解关系式（6）得： 微分方程（5）的解给出了SiO2的生长厚度与时间的普遍关系式（6）： （6） SiO2生长快慢将由氧化剂在SiO2中的扩散速度以及与Si反应速度中较慢的一个因素所决定： 当氧化时间很长(Thick oxide)，即tτ和t A2/4B时，则SiO2的厚度和时间的关系简化为： （抛物型规律，扩散控制） 热氧化生长速率（3） 当氧化时间很短(thin oxide)，即（t +τ） A2/4B时，则SiO2的厚度和时间的关系简化为 （线性规律，反应控制） B/A为线性速率常数；B为抛物型速率常数 热氧化生长速率（4） 返回 决定氧化速率常数的因素（2） 氧化温度 温度对抛物型速率常数B的影响是通过影响氧化剂在SiO2中的扩散系数DSiO2 产生的 温度对线性速率常数B/A的影响是通过影响化学反应常数ks产生的 温度对B及B/A的影响 图2.13温度对B的影响 图2.14温度对B/A的影响 影响氧化速率的因素 硅表面晶向 杂质 影响氧化速率的因素（1） 硅表面晶向对氧化速率的影响 线性速率常数B/A受硅的晶向影响 表达式： 不同晶向所对应的晶面硅原子的密度不同，表面化学反应速率（ks)是与硅表面的原子密度，即表面的价键密度有关 (111)面上的硅原子密度比(100)面上大，因此，(111)面上的线性速率常数大于(100)面上的线性速率常数 影响氧化速率的因素（1） 硅表面晶向对氧化速率的影响 抛物型速率常数B与硅的晶向无关 B的关系式 氧化剂压力pg一定时，B的大小只与氧化剂在SiO2中的扩散能力有关 影响氧化速率的因素（2） 杂质对氧化速度的影响 掺有高浓度杂质的硅，其氧化速率明显变大 B 增大抛物型速率常数，对线性速率常数无明显影响 k1, 慢扩散 增加SiO2非桥键氧的数目，降低SiO2强度，因此增大抛物型速率常数。 P 线性氧化速率常数明显增大 k1, 慢扩散，分凝到SiO2中的杂质量少，对抛物型速率常数影响不大，因大部分杂质集中在靠近硅表面的硅中，因而使线性氧化速率常数明显变大。 杂质对氧化速度的影响 水汽（极少量的水汽就会极大增大氧化速率） 水汽含量1×10-6时，氧化700分钟，SiO2约为300 ? 水汽含量 25×10-6时，氧化700分钟， SiO2约为370 ? 钠 以氧化物形式进入，离化后增加非桥键氧数，线性和抛物型氧化速率明显增大 影响氧化速率的因素（2） 杂质对氧化速度的影响 氯（O2＋TCA/HCL/TCE） 钝化可动离子，尤其是钠离子，生成可挥发的金属氯化物 改善Si- SiO2 界面特性——氯进入Si- SiO2 界面，界面态密度减小，表面固定电荷密度减小 提高氧化速率 10～15％ 抑制层错 TCA（三氯乙烷）在高温下形成光气（COCl2），是一种剧毒物质；TCE （三氯乙烯）可能致癌；HCL腐蚀性极强 影响氧化速率的因素（2） 返回 掺有杂质的硅在热氧化过程中，靠近界面的硅中杂质，将在界面两边的硅和二氧化硅中发生再分布。其决定因素有： 杂质的分凝现象 杂质通过SiO2表面逸散 氧化速率的快慢 杂质在SiO2中的