掺杂浓度对GaAs单量子阱中费米能级的影响论述.docVIP

毕 业 设 计（论 文） 题 目： 学 院： 专 业： 班 级： 学生姓名： 导师姓名： 职称： 起止时间： 毕业设计（论文）诚信声明书 本人声明：本人所提交的毕业论文《掺杂浓度对GaAs单量子阱中费米能级的影响》是本人在指导教师指导下独立研究、写作的成果，论文中所引用他人的文献、数据、图件、资料均已明确标注；对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式注明并表示感谢。 本人完全清楚本声明的法律后果，申请学位论文和资料若有不实之处，本人愿承担相应的法律责任。 论文作者签名： 时间： 年 月 日 指导教师签名： 时间： 年 月 日  目录 摘要 I Abstract II 1引言 1 2砷化镓半导体量子阱 2 2.1半导体材料简述 2 2.2砷化镓半导体 2 2.3低维半导体 3 2.4费米能级 3 2.5量子阱 4 2.6砷化镓半导体的应用 6 3量子阱相关的基本理论 7 3.1量子力学与波函数 7 3.2薛定谔方程 8 3.2.1薛定谔波动方程的应用 10 3.3有限差分法 11 3.4求解本征能级能量 12 3.5求解费米能级 14 4掺杂浓度对费米能级的影响 16 4.1量子阱结构 16 4.2软件计算 16 4.3数值结果 17 4.4数值分析 19 5结论 20 致谢 21 参考文献 22 附录 23 摘要 单量子阱可以按照自己的意愿对半导体化合物分组和生长厚度进行控制，在不同的量子阱中电子的运动也会发生变化，电子的运动状态会影响到量子阱的能级能量。费米能级存在于两相邻 首先，本文会介绍的知识系统的介绍方面的内容，再引出半导体内容都之后利用有限差分法求解薛定谔方程再求出砷化镓单量子阱的本征能级能量。后求解费米能级解析式软件计算掺浓度对费米能级的影响。：量子阱薛定谔费米能级有限差分法 Abstract Single quantum well can follow their wishes to control their growth of semiconductor compounds group and thickness, the movement of the electronic are different in different quantum well, and it will affect the state of the electronic energy levels of the quantum well. Fermi level exists between two adjacent levels, it can determine the position of the carrier distribution. The concentration of the carrier will affect the physical properties of the semiconductor, so we can produce a wide variety of semiconductor devices. However, the position of the Fermi level is not a fixed value, it will changes if we change the concentration and temperature of the external donor doping impurity. First, this article will introduce the knoweage of semiconductor physics, and systematic introduce the quantum well. Then leads to gallium arsenide semiconductors. After that, this article will introduce how to solving the Schr?dinger equation by finite difference method, and obtained single quant