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- 2016-12-13 发布于湖北
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D R 学习-基础知识培训一. 什么叫DR? DR是Digital radiography 的简称,即“数字放射成像系统”。 DR利用FPD平板进行影像获取, 取代了传统的X线胶片或CR的IP板 并以数字方式存储在计算机系统中。 DR在曝光后几秒钟可显示图像。 和传统图像相比:无须暗盒,无需耗材(较IP板)具有成像快,图像质量高、易于保存、检索、传输、运行成本低等诸多优势。 二. DR系统组成 A:成像链:X线源(X线机)平板探测器 (FPD)各支架组合方式(摄影平床,胸片架,)(悬吊式,地轨式) B:数字链:计算机处理单元(前登记工作站,后处理工作站)、显示终端 FPD平板探测器 ( flat panel detectr) (平的 仪器板 检测)是一种采用半导体技术,将X线能量转换为电信号,通过A/D模拟转换进行数字化转换,产生X线图像的检测器 三. DR的工作原理 1. 首先X线穿透人体照射平板材料 2. 按调整信号方式分两种直接转换式:非晶硒转换层将X线信号直接转换为电信号 间接转换式:X线激发荧光体产生可见光信号,再由TFT光电二极管转换为电信号 3.然后通过A/D模拟转换单元实现数字化转换 4. 最后将数字信号以DICOM3.0标准传输至用户终端最终实现分析、处理、诊断、存储等功能 四. DR的分类 按探测器材料分类: 常见1.非晶硒2.非晶硅3.CCD很少并淘汰4.CMOS5.线扫描 四. DR的分类的英文意思 DDR(Direct Digital Radiography)(直接的 数字显示的 放射照相学)非晶硒( a-se)层薄膜半导体阵列 (Thin Film Transistor Array 简称TFT 阵列) (细小的 电影胶片 晶体管 队伍) 2. IDR(Indirect Digital Radiography)(间接的 数字显示的 放射照相学)非晶硅(a-si) 3. CCD(Charge Coupling Device)(电荷 联结器 仪器)(电荷耦合器) 4.C-MOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)(互补的金属 氧化物 半导体) 五. 各类DR的成像原理 1. 非晶硒成像原理 硒作为一种光电导体, 可由X射线引起电荷改变(产生电信号) 再由薄膜晶体管阵列(TFT) 将电信号读出并数字化。 非晶硒层 TFT层 薄膜半导体阵列(Thin Film Transistor Array 简称TFT 阵列) 五. 各类DR的成像原理 2. 非晶硅成像原理 X线先经荧光介质材料转换成可见光, 再由光敏元件将可见光信号转换成电信号, 最后将模拟电信号经A/D转换成数字信号。 五. 各类DR的成像原理 3. CCD成像原理 X射线图象被荧光屏转换为可见光, 由光学系统传至 直接与CCD连接的半导体阵列上 检测并重建图象。 六. DR的成像过程 1. 间接成像过程(IDR) X-线信息 闪烁体 可见光信息 光电二极管 薄膜晶体管 电信息 A/D转换 数字信息计算机 2. 直接成像过程(DDR) X-线信息 非晶硒 电信息 A/D转换 数字信息 计算机 特别关注: 无论哪种类型的DR,其“直接”和“间接”是相对的。 所谓“直接”(如a-se)也仅仅是因其本身是一种电导材料,而减少了一个光转换环节而已, 最终都要通过TFT检测阵列, 再经A/D转换、处理才能获得数字图像。 从严格意义上讲,DR 只有转换方式不同之分,而无“直接”和“间接”之分。 七. 检测平板探测器性能的主要参数 (一)量子检测效能DQE (二)动态范围 (三)调制传递函数MTF (四)低X线对比小物体的可见度(对X线敏感度低的物体的检测能力) 八. 平板探测器的主要特点 1. 工作流程的减化减少了信号丢失和噪声的增加。 2. TFT像素极小确保了DR系统的信噪比高, 3. 图像灰阶范围大,使得所示图像细节更清晰、层次更丰富。 4. 放射剂量少,曝光宽容度大,曝光条件易掌握,提高了检查效率,也减少了一般损耗。 八. 平板探测器的主要特点 5. 可以根据临床需要进行各种图像后处理。 6. 图像可直接以符合国际标准的数字化格式储存、传输。 7. 可即时成像,减短检查时间,减少重复检查,提高工作效率。 九. 平板探测器的拼接方式 目前平板探测器有拼接式和单片式两种。主要原因是生产大面积矩阵块工艺难度大。拼接板的缺点是:在拼接处像素之间的接缝,拼接处像素的对齐,结合面之间的应力等
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