电工简明教程第三版9.ppt

饱和区 截止区 截止区 　　IB = 0 的曲线以下的区域称为截止区。IB = 0 时，IC = ICEO(很小)。对 NPN 型硅管，当 UBE 0.5 V 时，即已开始截止，但为了使晶体管可靠截止，常使 UBE ≤ 0，截止时集电结也处于反向偏置(UBC 0)，此时，IC ? 0 ，UCE ? UCC 。 饱和区 　　当 UCE UBE 时， 集电结处于正向偏置(UBC 0)，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，IC 和 IB 不成正比。此时，发射结也处于正向偏置，UCE ? 0 ， IC ? UCC/RC 。 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB =0 O36912 4 3 2 1 2.3 1.5 放大区当晶体管饱和时， UCE ? 0，发射极与集电极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶体管截止时，IC ? 0 ，发射极与集电极之间如同一个开关的断开，其间电阻很大，可见，晶体管除了有放大作用外，还有开关作用。 晶体管的三种工作状态如下图所示。 +UBE 0IC IB + UCE ? (a)放大UBC 0 + IC ? 0 IB = 0 +UCE ? UCC(b)截止UBC 0 + +UBE ≤ 0+UBE 0IB +UCE ? 0(c)饱和UBC 0 +管 型工 作 状 态饱和 放大截止 UBE/V UCE/V UBE/V UBE/V 开始截止 可靠截止 硅管(NPN) 锗管(PNP) 0.7 ?0.3 0.3 ?0.1 0.6 ~ 0.7 ?0.2 ~ ?0.3 0.5 ?0.1≤ 00.1 晶体管结电压的典型值 　　当晶体管接成共发射极电路时,在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数 9.4.4　主要参数 (1) 电流放大系数，? 　　当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为 ?IB ，它引起集电极电流的变化量为 ?IC 。 ?IC 与 ?IB 的比值称为动态电流(交流)放大系数 　　在输出特性曲线近于平行等距并且 ICEO 较小的情况下，可近似认为　　　，但两者含义不同。 (2) 集-基极反向截止电流 ICBO ICBO 是当发射极开路时流经集电结的反向电流，其值很小。 (3) 集-射极反向截止电流 ICEO 　　ICEO 是当基极开路(IB = 0)时的集电极电流，也称为穿透电流，其值越小越好。 (4) 集电极最大允许电流 ICM 　　当 ? 值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流，称为集电极最大允许电流 ICM 。 (5) 集-射反相击穿电压 U(BR)CEO 　　(6) 集电极最大允许耗散功率 PCM 　　基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，称为集-射反相击穿电压 U(BR)CEO 。 　　当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率，称为集电极最大允许耗散功率 PCM。 IC ICM U(BR)CEO UCE PCM O ICEO 安 全工作区 　　由 ICM 、U(BR)CEO 、PCM三者共同确定晶体管的安全工作区。 9.5　光电器件 9.5.1　发光二极管 9.5.2　光电二极管 高 等 教 育 出 版 社 高等教育电子音像出版社 电工学简明教程（第三版） 高 等 教 育 出 版 社 高等教育电子音像出版社 电工学简明教程（第三版） 高 等 教 育 出 版 社 高等教育电子音像出版社 电工学简明教程（第三版） 第 9 章　二极管和晶体管 9.1　半导体的导电特性 9.2　二极管 9.3　稳压二极管 9.4　双极型晶体管 9.5　光电器件 9.1　半导体的导电特性 　　本征半导体就是完全纯净的、具有晶体结构的半导体。9.1.1　本征半导体 自由电子 空穴 共价键 Si Si Si Si 本征半导体中自由 电子和空穴的形成 　　用得最多的半导体是硅或锗,它们都是四价元素。将硅或锗材料提纯并形成单晶体后，便形成共价键结构。在获得一定能量(热、光等)后，少量价电子即可挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中就留下一个空位，称为空穴。自由电子和空穴总是成对出现,同时又不断复合。 　　在外电场的作用下，自由电子逆着电场方向定向运动形成电子电流。带正电的空穴吸引相邻原子中的价电子来填补，而在该原子的共价键中产生另一个空穴。空穴被填补和相继产生的现象，可以看成空穴顺着电场方向移动，形成空穴电流。 　　可见在半导体中有自由电子和空穴两种载流子，它们都能参与导电。 空穴移动方向电子移动方向外电场方向 Si Si Si S