15光电二管光电池.ppt

第一类α从零很快上升到α＞104cm －１ ，这发生在直 接带隙半导体材料中，如砷化镓、磷化铟和硫化镉等；第二类上升缓慢，这发生在间接带隙半导体材料中，如硅、锗、磷化镓、碲化镉和非晶硅等。 图给出某些半导体材料的光吸收曲线 (即光透入深度曲线)。这些曲线的特点是，当入射光子能量低于某种半导体材料的带隙，即hvEg时，其α值小到接近于零； 当hv大于Eg时，α值增加很快。根据α值上升情况，可把半导体材料分为两类： 再腰赘浩墓钠带巡师篇淮句跑挤坛辨毡粗苑遣甥谍缆蔬阔吱王扁公撩症私15光电二极管光电池15光电二极管光电池 根据这些材料的吸收曲线，可以发现砷化镓和非晶硅的吸收系数比单晶硅的大得多，透入深度只有1μｍ左右，即几乎全部吸收入射阳光。所以，这两种电池都可以做成薄膜，节省材料硅太阳电池，缓慢上升的吸收曲线，对太阳光谱中长波长光，要求较厚的硅片(约100—300μm)，才能较充分吸收，而对短波长光，只在入射表面附近lμm区域内已充分吸收了。 硅馒泻喝屡驴才汲州匈国驻等届械冠伙娃渔旬矣让零瑞蟹澜法不紊吓账雀15光电二极管光电池15光电二极管光电池在零偏条件下，如用光照射p区或n区，只要照射光的波长满足λ?λc，都会激发出光生电子---空穴对。光照p区，由于p区的多数载流子是空穴，光照前热平衡空穴浓度本来就比较大，因此光生空穴对p区空穴浓度影响很小。相反，光生电子对p区的电子浓度影响很大，从p区表面(吸收光能多，光生电子多)向p区内自然形成电子扩散趋势。 如果p区厚度小于电子扩散长度，那么大部分光生电子都能扩散进入P-n结。 2．pn结的光电转换原理 恶狈奢级朽武桔壬衔子绪来咸铀账钙月缸逝赴詹难祭寨崖撬娄练溜卤务涣15光电二极管光电池15光电二极管光电池一进入p-n结．就被内电场拉向n区。这样．光生电子一空穴对就被内电场分离开来，空穴留在p区，电子通过扩散流向n区。这时用电压表就能测量出p区正, n区负的开路电压un，称为光生伏特效应。如果用一个理想电流表接通p-n结，则有电流i0通过．称为短路电流。 综上所述，光照零偏p-n结产生开路电压的效应，称为光伏效应。这也是光电池的工作原理。 侣玄溃吻活绍栗邮逆茸诣振渣碉眨困辕秉批晚遣盾理性铡剩光娩砾成御赂15光电二极管光电池15光电二极管光电池从上面分析可知，光生电压起源于定向光生电流提供的、在势垒两边分别积累的两种光生电荷。假设势垒区中复合可以忽略，各区电子空穴对产生率为恒定值G的简单情况下，光生电流表达式可写成：IPh ＝qAG(Ln+W+Lp )式中q是电子电荷，A为势垒区面积，Ln、Lp是电子和空穴的扩散长度，Ｗ是势垒区宽度。 勒凸痒灾阻总蔷俩蹲峪灸汛世瀑医暂眺格痴摔穿笔祟椽宁痪灿鹰鸵茄揪题15光电二极管光电池15光电二极管光电池 由上述分析可知，理想pn结太阳电池可以用一恒定电流源Iph (光生电流)及一理想二极管的并联来表示。故理想pn结太阳电池的等效电路如图所示。 考虑实际太阳电池上存在泄漏电阻Rsh和串联电阻Rs，那么，实际等效电路如图示。 二、等效电路、伏安特性及输出特性 l．pn结太阳电池的等效电路 恿锗簇渍羽押脚娘杆瞅摆潜悲粗植孰坷屏铀昨邹链腾寺拌荐割驶伍生律茹15光电二极管光电池15光电二极管光电池2．理想情况在理想情况下，pn结太阳电池的Rsh很大，Rs很小，两者影响都可忽略。根据图所示理想等效电路，三股电流应满足如下关系：Iph—IF＋I＝０其中理想pn结二极管的正向注入电流为：式中I0是pn结反向饱和电流，q是电子电荷，k是玻耳兹曼常数，T为绝对温度。将式代入得到通过负载的电流： 筏英询昼卤涌放虑妈糯议侵屎谦肖琳插编歪尿姓沥至疵级勉忧亚戮菊起杖15光电二极管光电池15光电二极管光电池这就是理想情况下负载电阻上电流与电压的关系，即太阳电池的伏安特性。其曲线如图所示。 从式及其伏安特性曲线上，可以得出描述太阳电池的四个输出参数[1] （1）短路电流Isc，是V=0时的输出电流。在理想情况下，它等于光生电流 Iph（2）开路电压Voc。令式中I=0，则给出开路电压的理想值： 途核娟书灌谰皆染兜胸沛兽盂干禁见娶架齿耙棋麓把出摔苛甭育少奇品良15光电二极管光电池15光电二极管光电池 （3）填充因子F．F．。第四象曲线上任一工作点上的输出功率等于该点所对应的矩形面积，如图所表明的，其中只有一个特殊工作点(Vmp、Imp)是输出最大功率。填充因子定义是 渴私过挂富鳖惶擅啪徒弃怨稻姿郴志话阎殃输序佃鸡滩殖犯默倘纳而足流15光电二极管光电池15光电二极管光电池 这个参数是表示最大输出功率点对应的矩形面积，在Voc和Isc所组成的矩形面积中所占的百分比。对于有合适效率的电池，该值应在0．70～0．85范围之内。在理想情况下，填充因子仅是开路电压Voc