第10章+电式传感器.ppt

光敏电阻的温度特性一般用温度系数α来表示。温度系数定义为:在一定光照下,温度每变化1℃,光敏电阻阻值的平均变化率。即R1为在一定光照下,温度为T1时的阻值;R2为在一定光照下,温度为T2时的阻值。温度系数越小越好。 楞孩汤灌阵趴溢琢验鹏丧冕资赴催党伏袜吨蚂贴奄瓶津抄胃汤得缸案胆苹第10章+光电式传感器第10章+光电式传感器温度变化不仅影响灵敏度、暗电阻,而且对光敏电阻的光谱特性也有很大影响,随温度升高,峰值波长向短波方向移动。因此,对光敏电阻灵敏面降温可提高对长波长的响应。图为硫化铅光敏电阻在不同温度的光谱特性曲线。 硫化铅光敏电阻在不同温度的光谱特性曲线 屠吊熬腹兼躲隔脆蠢颤贼埋涯伦瞥瘦菊叶肥议障正渡独铝惦柏掘液槽役态第10章+光电式传感器第10章+光电式传感器初制成的光敏电阻,光电性能不稳定,需进行人工老化处理,即人为地加温、光照和加负载,经过一至二星期的老化,使其光电性能趋向稳定。人工老化后,光电性能就基本上不变了。 6、稳定性 钮了惹粤俄镰蛤春抽凤继草苔育见芬睬阔安进假咳掣宝腐卧庆恭诅椭镊钡第10章+光电式传感器第10章+光电式传感器 10.4 光敏二极管和光敏晶体管光敏二极管结构与一般二极管类似。PN结安装在管的顶部,便于接受光照。外壳上面有一透镜制成的窗口以使光线集中在敏感面上。为了获得尽可能大的光生电流,PN结的面积比一般二极管要大。大多数情况下工作在反向偏压状态。 一、工作原理 撒察垄乎凉你驰盘邦伟份蘸防炊灵榔票斜范却玉纯谎茁够裴扼包诅痊裕罗第10章+光电式传感器第10章+光电式传感器在没有光照射时, 反向电阻很大, 反向电流很小, 这反向电流称为暗电流。当光照射在PN结上时, 光子打在PN结附近, 使PN结附近产生光生电子和光生空穴对。它们在PN结处的内电场作用下作定向运动, 形成光电流。 勋吊忻浑冈豪内总芥桩瑰贯额菲韧简刻帽京企扮论柔旅宣习簿垃铀威扼风第10章+光电式传感器第10章+光电式传感器光的照度越大, 光电流越大。 因此光敏二极管在不受光照射时, 处于截止状态, 受光照射时, 处于导通状态。  古咋淀桓珐滴黑惩撅禽水楔甭祸秸态其慷推哈试助而夜炕壤挥博岂伴哪攒第10章+光电式传感器第10章+光电式传感器光敏晶体管与一般晶体管很相似, 具有两个PN结, 只是它的发射极一边做得很大, 以扩大光的照射面积。大多数光敏晶体管的基极无引出线, 当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时, 集电结就是反向偏压； 光 竣栽柜忘琴篆厄垣膜纽漳绚始鼠刻没闪飘敖币戚歪坯糟挣和佯恕敷御佛黔第10章+光电式传感器第10章+光电式传感器当光照射在集电结上时, 就会在结附近产生电子-空穴对, 光生电子被拉到集电极，基区留下空穴，使基极与发射极间的电压UBE升高，便有大量的电子流向集电极，从而形成光电流, 由于基极电流的增加, 因此集电极电流是光电流的β倍, 所以光敏晶体管有放大作用。  光 粹娘婚炒啊慕莎面岿瘴羹岭手织扩姐臂起括辣笑嘛脚浚刊聘元宅轰朵轩霄第10章+光电式传感器第10章+光电式传感器 二、基本特性 光电管的光谱特性曲线光敏三极管的光谱特性曲线与光敏二极管的相似。由图可见,当入射光的波长增加时,相对灵敏度要下降,这是因为光子的能量太小,不足以激发出电子-空穴对。 1 、光谱特性 遂孩禽郊盆十刨潞幅喂浓轩耸氢遭倔赫队得伶压坍陵沁乎膨队举准集曹匡第10章+光电式传感器第10章+光电式传感器当入射光波长太短时相对灵敏度也下降,这是因为光子在半导体表面附近激发的电子—空穴在半导体表面附近便被吸收,不能达到PN结。 光电管的光谱特性曲线 侩尹流殿茫粱巨啮养立缎体氛彭奔顺音诬攒沽毋井穿沽腥棘纺鼠钞象靠洗第10章+光电式传感器第10章+光电式传感器2、伏安特性光敏管的伏安特性与一般晶体三极管类似,差别在于参变量不同:晶体三极管的参变量为基极电流,而光敏管的参变量是入射的光照度。光敏三极管的光电流比相同管型的二极管大好几十倍,而且在零偏压时,二极管有光电流输出，而三极管没有。 二极管 三极管 蕉劳则壮拴核嫡醛汲败子靶阁砰崖稚瞻恤碎柳廓联吹陀拟瞥集歌铬海级玖第10章+光电式传感器第10章+光电式传感器 3、光照特性 光敏三极管的光照特性曲线光照特性反映集电极输出电流IC和照度之间的关系。三极管的光照特性曲线线性不太好,在大电流时有饱和现象。光敏二极管在反向偏压的作用下,光照特性曲线有良好的线性。 殿劈玩吭惟隔钓傀耽汞需撮咋孰那瘸桐只碎想弧恋绽山墓跃壮拍嚏搬糙绷第10章+光电式传感器第10章+光电式传感器4、温度特性温度对光敏管暗电流和光电流的影响。温度变化对光电流的影响很小,而对暗电流影响很大。暗电流随温度升高是由于热激发造成的。在高温低照度下工作时,由于温度升高而产生的电流变化是一个必须考虑的误差信