非晶硅太阳电池工作原理及进展.docVIP

非晶硅太阳能电池工作原理及进展 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 维普资讯 、 非 晶 硅 太 阳能 电池 工 作 原理 及 进 展　 、 ／ 徐 温 元 　 　 　 （ 开 大 学 电 子 科 学系 ） 南 　 自 １　 ９ ６年 以 来， 晶硅 基 台金 作 为 一 种 新型 的 电子 材 料 ， ７ 非 由于 它 的优 异 的 光 电特 性 ， 它 在 太 阳能　 使 电池 及 其 他方 面 具 有 广 泛 的应 用前 景 ， 而 推 动着 人们 对 这 羹材 料 特 性 进 行深 人 研究 。 近 几年 国 际 上　 从 有 关 这 方面 的研 究 工作 发 展迅 速 ， 已形 成 一 个新 技 术产 业 部 门 ． 非 晶 硅 太阳能 电池 的 转换 效 率 和 电弛　 面 积 也 都有 明 显 的 提高 和 增太 ． 本文 综 述了 非 晶硅材 料 特 性 ， 电池 工作 原 理 及最 近发 展 ． 　 一 、 非 晶 硅 材料 特 性　 移率虺　 非 晶硅 基 合 金材 料 包 括 氢 化 非晶 硅 ａ ｓ ： — ｉ　 了　 Ｈ、 非 晶 碳 化 硅 ａ Ｓ　ｘ 　Ｈ、 非 晶氮 化 硅 　 －ｉ Ｃ ： ｓ１ ｉ …Ｎ ： Ｈ、 非 晶 锗硅 ａ Ｓｌ —ｉ …Ｇｅ ： 等 一 系 列　 Ｈ 犍　 材 料 ． 类 台 金 均 可 在 较 低 的 温度 下 （ ３ Ｏ ） 这 ＜ ０℃ 　 以 等 离 子 化 学 气 相 沉 积 方 法 （ ＣＶ Ｐ Ｄ） 在 较 广　 泛 的 衬 底 材 料 （ 玻 璃 、 属 、 高 温塑 料 ） 生　 如 金 及 上 成大面积薄 膜． 　 １ 非 晶硅 舍 金 的带 隐 及 悬 挂 键 　 ． 远 程 无序 的 ． 对 理 想 晶 态 半 导 体 来 说 ， 我们 已　 卷 市 崖 （ ｍ　 ?ｅＰ 　 　 ｃ ） 图 ｌ 非晶 态半 导体 态密 宦分 布示 意图　 　 带 隙宽 度 ． 非 晶 硅 的 带 隙宽 度 约 等 于 １７ Ｖ， 　 ．ｅ 　 同 ． 这 种 不 同 与 非 晶 硅 中 含 有 １ ％ 以上 的 氢　 　 　 ０ 非 晶 硅 与 晶 体 硅 不 同 之 处 是 其 原 子 排 列是 　 晶 体 硅 的 带 隙 宽 度 为 １Ｉ Ｖ， 二 者 有 明 显 的 不　 ．ｃ 能 用能 带 理 论 阐 明 其 导 电机 理 ，即 电 子 或空 穴　 有 关 ． 再 者 ， 在 非 晶 硅 中掺 人 适 量 的 锗 （ ｅ 、 若 Ｇ ）　 可 “ 由 ” 运 动 于 扩 展 的 导 带 或价 带 之 中 ， 并　 碳 （ 或 氮 Ｏ ， 可 以形 成 不 同 的 硅 基 合 金 即　 自 地 ｃ） Ｎ） 则 具 有 较 高 的 迁 移率 ，而 处 于 导 带和 价 带 之 间 的　 非晶 锗 硅 合 金 禁 带 态 密 度 为 零 ． 对 非晶 态 半 导 体 来 说 ， 由 于　 ａ Ｓｌ —ｉ …Ｃ ： Ｈ ａ ｓ　 —ｉ 一Ｇｃ ： 　 非 晶 碳 硅 台 金　 Ｈ， 或 非 晶氮 硅 台 金 ａ ｓｌ — ｉ…Ｎ ： 　 Ｈ． 原 子 排 列 非 长 程有 序 ， 即材 料 中存 在 着 各 种 不　 各 种 合 金 的 带 隙 宽 度 随 掺 人 量 （ 的 变 化 而 变 ． 　） 　 完 整 性 （ 键 长 、 角不 相 等 和 材 料 中 存 在 空 洞　 表 １列 出 几 种 常 见 合 金 的 带 隙 宽 度 ． 从 迁 移率　 如 键 　或 Ｅ， 内分 布 的 带 尾 的 态 密度 近 似 以 指　 向 等 ） 导 致 在 描 述 非 晶 态 导 电 机 理 时 虽 也 有 类 似　 边 Ｅ ， 于 晶 态 的 导 带 和 价 带 ， 但它 分 成 扩 展 态 和局 域　 数 规 律 降 到 ～ １ “ ｃ 　? Ｖ的 悬 挂 键 态 密 度 ． 　 ／ｍ ｅ ０ 　 态 ． 在 扩 展 态 中 ， 子 和 空 穴 的迁 移 率 明显 低　 所 谓 悬 挂 键是 指 非 晶 硅 中 的 而 电 ｓ 原 子 未 成 共 价　 ｉ １ １　 ０／ ９ 于 晶 态材 料 ， 只相 当 于 晶 态 材 料 载 流 子 迁 移 率　 键 的 电 子 态 ． 由 射 频 溅 射 或 电 子 束 蒸 发 方 法 制　 的Ｉ ％或 更 低 ． 谓 局 域 态 即 载 流 子 不 能 在 其 中　 备 的 非 晶