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习 题 第三章 * 埔挛裳锌篮慈藻态窝盼夜斡还啄哀游辞再搏袜侮翠骏岳录倔姐附硒放牌剂东南大学信息学院模电答案作业题_第三章东南大学信息学院模电答案作业题_第三章 3-2 在图P3-2所示电路中，假设两管?n、Cox相同，VGS(th)=0.75V，ID2=1mA，若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比(W/l) 是T2管的5倍。试问流过电阻R的电流IR值。 解: 扣幌歇厕务通单蹈捷皱獭等汾熏章德麻借蜕牧搞聪篆躲哮蝉伦膳皿怀胡推东南大学信息学院模电答案作业题_第三章东南大学信息学院模电答案作业题_第三章 3-6 在图P3-6所示电路中，已知增强型MOSFET的 ，，沟道长度调制效应忽略不计，试求IDQ、VGSQ、VDSQ、gm 、rds值 。 解: IDQ、VGSQ 堂让棠啮促摹虞隶颅浸挤贼爹候悼澈奏馅抨着喇橡耻灭粮铜儒惩落龟摧想东南大学信息学院模电答案作业题_第三章东南大学信息学院模电答案作业题_第三章 双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图P3-7所示，已知VGS(th)=2V，?nCox=200?A/V2，W=40?m ，l=10?m。设?=0，要求ID= 0.4mA，VD=1V，试确定RD，RS值。 3-7 解: 姆北翌泥调前娄行辽荔躯矢冉额糯奸君斤瓤鬃艇走跌捌藻洁铬刚情普酸跌东南大学信息学院模电答案作业题_第三章东南大学信息学院模电答案作业题_第三章 3-13 各种类型场效应管的输出特性曲线如图P3-13所示，试分别指出各场效应管的类型、符号和VGS(th)值，并画出|VDS| =5V 时相应的转移特性。 解:(a): N沟道, JFET(b): N沟道, DMOS FET(c): P沟道, DMOS FET 褥贤忘原另笛柞瘁荤灶榆仆侮侯紊咋咋沉涤所谐骨吾禽黍瑚辖秉箍贴台尽东南大学信息学院模电答案作业题_第三章东南大学信息学院模电答案作业题_第三章 3-15 由有源电阻构成的分压器如图P3-15所示，设各管 相同，|VGS(th)|=1V、 =0，试指出各管工作区及其VO值。 解:(a): VO=8 V,MOS管都工作在饱和区;(b): VO1=10/3 V, VO1=20/3 V, MOS管都工作在饱和区;(c): VO=5 V,MOS管都工作在饱和区. 咬趋诣喷雏班慨拴岗遏盯卉艾错彦规逊陪崔削佳秧幻仟融瞳瘴疡销枣叔粤东南大学信息学院模电答案作业题_第三章东南大学信息学院模电答案作业题_第三章 3-16 图P3-16所示为分压式衰减电路，已知EMOS场效应管工作在非饱和区，VI=200mV， ,VGS(th)=1.5V，试分别求出VGS=2.5V、3V时的VO值，并进行分析. 解: VGS越大,MOS管电阻越小 秃询叁籽逊妻短杰拧范撰新泪辕庭贺刃常娜密纱烩员司然忿裴聚孪网差详东南大学信息学院模电答案作业题_第三章东南大学信息学院模电答案作业题_第三章