2005_半导体物理试题B参考答案和评分标准..docVIP

2005_半导体物理试题B参考答案和评分标准..doc

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电 子 科 技 大 学 二 0 0 四 至 二 0 0五 学 年 第 一 学 半导体物理(B卷)课 程 考 试 题 (120分钟) 考试日期: 2004 年 12 月 28 日 注:1、本试卷满分70分,平时成绩满分15分,实验成绩满分15分; 2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。 一、选择填空(含多选题)(25分) 1、与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量( A ); A、比半导体的大, B、比半导体的小, C、与半导体的相等。 2、室温下,半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3,同时掺有浓度为1.1×1015cm-3的磷,则电子浓度约为( B ),空穴浓度为( D),费米能级为(G);将该半导体由室温度升至570K,则多子浓度约为(F),少子浓度为(F),费米能级为(I)。(已知:室温下,ni≈1.5×1010cm-3,570K时,ni≈2×1017cm-3) A、1014cm-3 B、1015cm-3 C、1.1×1015cm-3 D、2.25×105cm-3 E、1.2×1015cm-3 F、2×1017cm-3 G、高于Ei H、低于Ei I、等于Ei 3、施主杂质电离后向半导体提供( B ),受主杂质电离后向半导体提供( A ),本征激发后向半导体提供( A B ); A、空穴, B、电子。 4、对于一定的p型半导体材料,掺杂浓度降低将导致禁带宽度(B(A)),本征流子浓度(B(C)),功函数( C ); A、增加, B、不变, C、减少。 5、对于一定的n型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致( D )靠近Ei; A、Ec, B、Ev, C、Eg, D、EF。 6、热平衡时,半导体中的电子浓度与空穴浓度之积为常数,它只与( C D )有关,而与(A B )无关; A、杂质浓度 B、杂质类型 C、禁带宽度, D、温度。 7、表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为(A); A、施主态 B、受主态 C、电中性 8、当施主能级ED与费米能级EF相等时,电离施主的浓度为施主浓度的( C )倍; A、1, B、1/2, C、1/3, D、1/4。 9、最有效的复合中心能级位置在(D)附近;最有利陷阱作用的能级位置在(C)附近,常见的是E陷阱。 A、EA, B、ED, C、EF, D、Ei E、少子 F、多子。 10、载流子的扩散运动产生(C)电流,漂移运动产生(A)电流。 A、漂移 B、隧道 C、扩散 11、MIS结构的表面发生强反型时,其表面的导电类型与体材料的(B),若增加掺杂浓度,其开启电压将(C)。 A、相同 B、不同 C、增加 D、减少 二、证明题:(8分) p型半导体的费米能级在n型半导体的费米能级之下。(8分) 证明一: 由于 nnnp (或pppn) (2分) 即 (2分) (2分) (或,) 对上面不等式两边同时求对数,即得 EFn EFp (2分) 证明二: 对于p型半导体 ppni (或ni np) 即 (2.5分) 则有 (1分) 同理 对于n型半导体 nnni (2.5分) 可得到

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