电子科技大学通信射频电路射频元器件及模型7-8.pptVIP

* 两类晶体管的fT和fMax水平 晶体管技术 最小特性尺寸 (微米) fT (GHz) fmax (GHz) Si BJT 0.5 50 50 SiGe HBT 0.8 130 160 GaAs HBT 1.0 180 280 InP HBT 1.0 228 270 GaAs MESFET 0.2 80 120 GaAs PHEMT 0.12 120 200 InP HEMT 0.12 250 350 GaAs MHEMT 0.12 225 250 3.5 BJT和FET的性能及选择 * 两类晶体管的噪声性能水平 晶体管 1/f转弯频率 最小噪 声数据 附加增益 Si BJT 1kHz 1.5dB@2GHz 21dB@2 GHz SiGe HBT 1 kHz 0.65dB@2 GHz 3 dB@12 GHz 21dB@2 GHz 5dB@12 GHz GaAs HBT 1 kHz 0.4dB@2 GHz 25dB@2 GHz GaAs MESFET 10MHz 0.8dB@12 GHz 12dB@12 GHz GaAs PHEMT 10MHz 0.25dB@2 GHz 1dB@18 GHz 16dB@4 GHz 10dB@18 GHz InP HEMT 10MHz 0.3dB@18 GHz 17dB@18 GHz GaAs MHEMT 0.4dB@18 GHz 11.5dB@