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BiCMOS 工艺： 隔离完成后，刻掉有源区上的SiO2，淀积多晶硅，掺P型杂质，再长一层SiO2 ，刻发射区，刻去发射区上的SiO2和多晶硅。高温氧化使发射区窗口和多晶硅侧壁长一层SiO2 （多晶硅氧化较快，上面的氧化层较厚），干法刻蚀形成侧墙（侧墙的厚度和质量非常重要）。发射区注入并退火，淀积N型多晶硅作发射极。 三、 Bipolar与MOS的比较 １．二类晶体管的差别 ①　BJT的输出电流Ic为常数时的电压Vce≈0.3V,很 小，而MOS管Ids接近常数时，电压Ｖgs- VT比Ｖce大得多； ２．二类IC的差别 ①双极型IC 　优势为： 　　Ａ：在高速时对电容负载有较强的驱动能力； 　　Ｂ：在恶劣的工作环境下比MOS具有更高的可靠性； 　　Ｃ：模拟精度高． 　缺点为： 　　　Ａ：电荷存储效应使延迟增加； 　　　Ｂ：要求有输入（基极）电流，使形式复杂，如要用电阻． 　　　Ｃ：功耗大，限制了集成度． ②　MOSIC 优势为： 　　　Ａ：功耗低； 　　　Ｂ：结构简单，集成度可显著增加。 　　缺点为： 　　　Ａ：栅氧化层很薄，脉冲电压很容易损坏； 　　　Ｂ：电流驱动能力低，在驱动较大的电容负载，如时钟线，控制信号线等时，延迟较大。 TTL具有中等的速度，门延迟小于1ns，可靠性高，由于功耗问题，一直被限制在LSI的水平． STTL中等速度，集成度高，功耗较低，可以达VLSI. ECL速度最快，门延迟小于100ps,功耗大，只能集成几千门．目前最快，用于高速中央主机． nMOS速度较快，门延迟小于１ns, 尺寸小，适合VLSI，功耗比CMOS大，应用受到限制． CMOS速度较高，静态功耗为零，是VLSI的主流，随着尺寸的越来越小，速度越来越快，集成度受动态功耗的限制． 　 各类电路优值比较： 四、BiCMOS 　 　 　　 最早的BiCMOS是用CMOS做高集成度低功耗的部分，双极仅用来做I/O部分，后来将BJT也集成到逻辑门中． 　　 优点： 　　①．此反相器静态功耗也为０； 　　②． R1,R2,T1,T2 的加入将增加２０％的面积，但由于 驱动能力的增加， BiCMOS 的实际集成度比CMOS 有所增　　 加．因为如果ＣL较大，Ｍ１和Ｍ２要做得很大，而BiCMOS 中Ｍ１，Ｍ２可以做的较小； 　　③扇出系数大，且速度快； 　　④双极推挽器件隔开了CMOS 和负载，不同的CMOS 电路单位负载延迟一致； 　　⑤Vbe比VT更容易精确控制，因此更容易得到良好的匹配对．　 其他的BiCMOS反相器 六、BiCMOS门电路 2、BiCMOS反相器的电压传输特性 ３、BICMOS门电路的传输延迟时间 * * 一、BJT的特点： 优点 垂直结构 与输运时间相关的尺寸由工艺参数决定，与光刻尺寸关系不大 易于获得高fT 高速应用 整个发射结上有电流流过 可获得单位面积的大输出电流 易于获得大电流 大功率应用 开态电压VBE与尺寸、工艺无关 片间涨落小，可获得小的电压摆幅 易于小信号应用 模拟电路 输入电容由扩散电容决定 随工作电流的减小而减小 可同时在大或小的电流下工作而无需调整输入电容 输入电压直接控制提供输出电流的载流子密度 高跨导 缺点： 存在直流输入电流，基极电流 功耗大 饱和区中存储电荷上升 开关速度慢 开态电压无法成为设计参数 设计BJT的关键： 获得尽可能大的IC和尽可能小的IB 二、先进的双极工艺 　 双极型的一个重要特点是纵向尺寸无法跟横向尺寸成正比缩减，这使得双极工艺始终落后于MOS一到二代。 BJT最重要的是β和截止频率 截止频率↑：Wb↓,寄生结电容↓ β↑：发射区掺杂浓度/基区掺杂浓度↑注入效率↑ 　 但是，基区掺杂浓度太低容易发生基区穿通，所以一般提高发射区掺杂浓度，但发射区浓度太高，杂质高度简并，会使Eg ↓，少子复合↑ ，注入效率↓， β ↓ 　 综合考虑，先进双极工艺有： 先进的隔离 多晶硅发射极 异质结BJT 自对准结构 (1)深沟隔离 先刻沟槽，然后用SiO2或Poly-Si填平 器件面积↓ 寄生电容↓　 集成度↑ 　 速度↑ (2)多晶硅发射极 在发射区上淀积多晶硅，给多晶硅掺杂，退火，使杂质扩散到单晶硅上形成发射区。β可增加3~7倍。 数字电路中β不需要很大，但可以换取提高基区掺杂浓度，进而可减小基区宽度，fT↑，而基区穿通电压不下降，缓解了β和fT的矛盾。 (3)异质结BJT 发射区电流注入效率: 所以要想办法使发射区材料的Eg 基区材料的Eg 。采用外延基区技术，如外延SiGe合金作为基区，这就是异质结BJT(HBT)。 用