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上页 下页 返回 模拟电子技术基础 3.3 场效应管放大电路 3.3.1 场效应管的偏置及其电路的静态分析 1．自给偏压 场效应管常用的偏置方式 自给偏压 分压式偏置 IDQ USQ= IDQ RS UGSQ= –IDQ RS (1) 电路 (2)自给偏压原理 + _ + _ (3) 静态分析 a. 方法一：图解法 (a) 列写输出回路方程 (c) 作图 (b) 列写输入回路方程 + _ + _ a b c d e a b c d e IDQ M N Qo UDSQ Qi UGSQ 作输出回路直流负载线 作控制特性 作输入回路直流负载线 O O b. 方法二：估算法 输入回路方程 当管子工作于放大区时 两式联立可求得IDQ 由此可得 + _ + _ [例] 在图示电路中，VDD=18V，RD=3kΩ，RS=1kΩ、RG=1MΩ，FET的IDSS=7mA、UGS(off)=－8V。试求UGSQ 、IDQ和UDSQ 。 + _ + _ [解] 当管子工作于放大区时 将有关数据代入上式，得 UGSQ =－2.9 V IDQ=2.9 mA 联立求解，得 2．分压式偏置 图中 (1) 电路 (2) 静态分析 + _ + _ + _ _ + 故 分压式偏置: 增强型、耗尽型 两种偏置电路适用的FET 自给偏压：耗尽型 + _ + _ + _ _ + 3．信号的输入和输出 常用的耦