《物理学毕业论文：TIO2表面氧吸附特性研究》.docVIP

PAGE 毕 业 论 文2011届TiO2表面氧吸附特性研究 学生姓名 学 号 院 系 数理信息学院 专 业 物理学 指导教师 完成日期 2011年5月10日TiO2表面氧吸附特性研究摘要 要获得氧吸附量与温度、氧分压的理论变化规律，首先要根据经典的统计理论，并要结合麦克斯韦速率分布得出吸附过程中O2吸附量的理论模型。在活化能Ea=0.30eV的情况下，TiO2对氧气吸附的温度敏感区域在120—410K之间，而且最佳吸附温度在370K，这与由金红石相TiO2所制成氧敏元件的最佳灵敏度所处的工作温度（378K）相近。并由模拟理论推测氧气在半导体表面的吸附量与氧分布呈线性增加。关键字 TiO2；敏传感器；氧吸附；量子粒子；活化能A STUDY OF OXYGEN ABSORPTION FOR TiO2ABSTRACT The process of absorption and desorption for oxygen is explained by an energy criterion and classical statistical theory. The relationships between absorbed velocity, temperature and oxygen partial pressure are purposed by using Maxwell velocity distribution and calculating model of concentration for absorbed oxygen. The temperature region for oxygen adsorbed on the surface of TiO2 is in 120K—410K with a active energy (Ea=0.30eV), and optimal temperature is in 370K. The results are close to the experimental nature, which the oxygen sensor was made by rutile TiO2 and optimal operating- temperature is at 378K. And also, it is induced by computer simulation that the absorbed density for oxygen on TiO2 increases linearly with oxygen concentration. Key words TiO2; oxygen sensor; oxygen absorption; energy particle; active energy目录 PAGE 11引言TiO2表面氧吸附量的研究是了解TiO2基气敏传感器电导率变化规律的重要理论基础。TiO2是一种主要的半导体过渡金属氧化物，它具有金红石、锐钛矿和板钛矿3种晶型，其中金红石结构是相对最为稳定的晶型，它也是TiO2的氧敏相。TiO2材料应用非常广泛，如：染料、光敏化材料(光电、光学晶体等材料)、电化学及催化等领域[1, 2]。在气敏材料应用方面，TiO2基半导体气敏材料以其工作温度低、性能好、制备简单等优势[3]，成为人们研究和应用中最广泛的气敏传感器材料之一。TiO2材料电导率对氧气的敏感特性，最早由Gopel等人研究TiO2 (110)单晶的氧敏性后提出的[4]。气敏材料的电导率与半导体材料的迁移率、电子浓度有关，而半导体电子浓度除了与半导体材料的能级和掺杂施主浓度有关以外，也与材料表面氧吸附有很大关系[5],所以TiO2表面氧吸附的研究，对于了解该半导体材料的氧敏特性具有重要意义。在合成过程中，TiO2表面易形成氧空位，而呈N型半导体。Henderson等人通过TPD和ELS实验研究了O2在TiO2 (110)表面的吸附[6]，其实验结果表明，表面氧空位是造成表面氧吸附的主要原因。在某一温度范围内，氧气以分子形式吸附在表面氧空位上，通过导带电子的转移，使其成为吸附氧(O2*)[5]；然后，由于邻近阳离子（Ti4+）的作用，其中一个氧原子留在了氧空位上，而另一个氧原子移到邻近的阳离子上，由此造成氧分子O-O键的断裂，使其成为解离吸附(O2+ 2e → 2O-)[6,7]。综上所述，表面氧吸附量与温度有密切的