二极管三极管场效应管的学习.docVIP

二极管 5.1.5 半导体二极管的型号命名二极管的型号命名通常根据国家标准GB-249-74规定，由五部分组成。第一部分用数字表示器件电极的数目；第二部分用汉语拼音字母表示器件材料和极性；第三部分用汉语拼音字母表示器件的类型；第四部分用数字表示器件序号；第五部分用汉语拼音字母表示规格号。如表所示。 表 5.1 国产半导体器件的命名方法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 符号 意义 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义 2 二极管 A N型，锗材料 P 普通 X 低频小功率 （?a＜3MHz，PC＜1W 反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如A、B、C、D…其中承受的反向击穿电压最低，B稍高B P型，锗材料 W 稳压管C N型，硅材料 Z 整流管 G 高频小功率 ?a＞3MHz，PC＜1WD P型，硅材料 L 整流堆3 三极管 A PNP型，锗材料 N 阻尼管 D 低频大功率 ?a＜3MHz，PC＞1WB NPN型，锗材料 K 开关管C PNP型，硅材料 F 发光管 A 高频大功率 ?a＞3MHz，PC＞1WD NPN型，硅材料 S 隧道管E 化合物材料 U 光电管 T 可控硅CS 场效应管BT 特殊器件2.日本半导体器件的命名方法 日本半导体器件命名型号由五部分组成。 第一部分用数字表示半导体器件有效数目和类型。1表示二极管，2表示三极管； 第二部分用S表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件； 第三部分用字母表示该器件使用材料、极性和类型； 第四部分表示该器件在日本电子工业协会的登记号； 第五部分表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表5.2所示。 表5.2 日本半导体器件的命名 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 序号 意义 符号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义 0 光电二极管或三极管 S 已在日本电子 工业协会注册 登记的半导体 器件 A PNP高频晶体管 多位数字 该器件在日本电子工业协会的注册登记号 A B C D . 该器件为原型号产品的改进产品B NP低频晶体管C NPN高频晶体管1 二极管 D NPN低频晶体管2 三极管或有三个电极的其他器件 E P控制极可控硅G N控制极可控硅H N基极单结晶管J P沟道场效应管3 四个电极的器件 N沟道场效应管M 双向可控硅3.美国半导体器件的命名方法 美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。 第一部分为前缀； 第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分； 第五部分为后缀；这五部分符号及意义如表5.3所示。 表5.3 美国半导体器件的命名 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用符号表示器件的类别 用数字表示PN结数目 美国电子工业协会注册标志 美国电子工业协会登记号 用字母表示器件分挡 序号 意义 符号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义 JAN或J 军用品 1 二极管 N 该器件是在美国电子工业协会注册登记的半导体器件 多位数字 该器件在美国电子工业协会的注册登记号 A B C D . . . 同一型号器件的不同挡别 2 三极管无 非军用品 3 三个PN结器件4 N个PN结器件5.1.6 二极管的伏安特性 实际的二极管伏安特性曲线如图5.5所示，实线对应硅材料二极管，虚线对应锗材料二极管。 图5.5 二极管的伏安特性曲线 1.正向特性 当二极管承受正向电压小于某一数值(称为死区电压)时，还不足以克服PN结内电场对多数载流子运动的阻挡作用，这一区段二极管正向电流IF很小，称为死区。死区电压的大小与二极管的材料有关，并受环境温度影响。通常，硅材料二极管的死区电压约为0.5V，锗材料二极管的死区电压约为0.1V。 当正向电压超过死区电压值时，外电场抵消了内电场，正向电流随外加电压的增加而明显增大，二极管正向电阻变得很小。当二极管完全导通后，正向压降基本维持不变，称为二极管正向导通压降UF。一般硅管的UF为0.7V，锗管的UF为0.3V。以上是二极管的正向特性。 2.反向特性 当二极管承受反向电压时，外电场与内电场方向一致，只有少数载流子的漂移运动，形成的漏电流IR极小，一般硅管的IR为几微安以下，锗管IR较大，为几十到几百微安。这时二极管反向截止。 当反向电压增大到某一数值时，反向电流将随反向电压的增加而急剧增大，这种现象称二极管反向击穿。击穿时对应的电压称为反向击穿电压。普通二极管发生反向击穿后，造成二极管的永久性损坏，失去单向导电性。以上是二极管的反向特性。 5.2 晶体二极管的主要参数 描述二极管特性的物理量称为二极管的参数，它是反映二极管电性能的质量指标，是合理选择和使用二极管的主要