复旦大学集成电路工艺原理2.pptVIP

* 切片、磨片、抛光 1．切片 将已整形、定向的单晶用切割的方法加工成符合一定要求的单晶薄片。切片基本决定了晶片的晶向、厚度、平行度、翘度，切片损耗占1/3。 2.磨片 目的： ? 去除刀痕与凹凸不平； ???改善平整度； 使硅片厚度一致； 磨料： ??? 要求：其硬度大于硅片硬度。 种类：Al2O3、SiC、ZrO、SiO2、MgO等 * 3.抛光 目的：进一步消除表面缺陷，获得高度平整、光洁及无 损层的“理想”表面。 方法：机械抛光、化学抛光、化学机械抛光 * 晶体缺陷 缺陷的含义：晶体缺陷就是指实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域。 理想晶体：格点严格按照空间点阵排列。 实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。 几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷 * 点缺陷 缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。 * 线缺陷 指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短，分为刃型位错和螺位错。 刃型位错:在某一水平面以上多出了垂直方向的原子面，犹如插入的刀刃一样，沿刀刃方向的位错为刃型位错。 * 螺位错:将规则排列的晶面剪开（但不完全剪断），然后将剪开的部分其中一侧上移半层，另一侧下移半层，然后黏合起来，形成一个类似于楼梯 拐角处的排列结构，则此时在“剪开线”终结处（这里已形成一条垂直纸面的位错线）附近的原子面将发生畸变，这种原子不规则排列结构称为一个螺位错 * 面缺陷 二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。如孪晶、晶粒间界以及堆垛层错。 孪晶：是指两个晶体（或一个晶体的两部分）沿一个公共晶面（即特定取向关系）构成镜面对称的位向关系，这两个晶体就称为“孪晶”，此公共晶面就称孪晶面。 晶粒间界则是彼此没有固定晶向关系的晶体之间的过渡区。 孪晶界 晶粒间界 * 堆垛层错是指是晶体结构层正常的周期性重复堆垛顺序在某一层间出现了错误，从而导致的沿该层间平面（称为层错面）两侧附近原子的错误排布 。 * 体缺陷 由于杂质在硅晶体中存在有限的固浓度， 当掺入的数量超过晶体可接受的浓度时， 杂质在晶体中就会沉积，形成体缺陷。 * 本节课主要内容 硅单晶的制备：CZ 直拉法、 悬浮区熔法 掺杂分布： 有效分凝系数 衬底制备： 整形、晶体定向、晶面标识、晶面加工 晶体缺陷：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷 * * INFO130024.01 集成电路工艺原理 第二章 晶体生长 * 集成电路工艺原理 * 上节课主要内容 CMOS工艺： 光刻、氧化、扩散、刻蚀等 硅技术的历史沿革和未来发展趋势： 晶体管的诞生 集成电路的发明 平面工艺的发明 CMOS技术的发明 摩尔定律（Moore’s law） VLSI、SoC、SIP Constant-field等比例缩小原则 ITRS：技术代/节点 * 大纲 （2） 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 * 一、衬底材料的类型 元素半导体 Si、Ge…. 2. 化合物半导体 GaAs、SiC 、GaN… * 二、对衬底材料的要求 导电类型：N型与P型都易制备； 电阻率：0.01-105?·cm，均匀性好（纵向、横向、微区）、可靠性高（稳定、真实）； 寿命（少数载流子）：晶体管—长寿命； 开关器件—短寿命； 晶格完整性：低位错（1000个/cm2）； 纯度高：电子级硅（EGS） --1/109杂质； 晶向：Si:双极器件--111；MOS--100； 直径、平整度、禁带宽度、迁移率等。 * Si： 含量丰富，占地壳重量25%； 单晶Si 生长工艺简单，目前直径最大18英吋（450mm） 氧化特性好， Si/SiO2界面性能理想，可做掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝缘栅等介质材料； 易于实现平面工艺技术； * Ge： 漏电流大，禁带宽度窄，仅0.66eV(Si:1.1eV)； 工作温度低，75℃（Si:150℃）； GeO2易水解（SiO2稳定）； 本征电阻率低：47 ?·cm（Si: 2.3x105 ?·cm）； 成本高。 * Si 的基本特性: FCC 金刚石结构，晶格常数a=5.431